Electrotecnio

Páginas: 7 (1668 palabras) Publicado: 26 de febrero de 2013
INTRODUCCIÓN
En esta práctica trataremos todo lo relacionado a la polarización del Transistor BJT. Trataremos de mostrar, con circuitos, desarrollos teóricos y simulaciones, el comportamiento de los transistores bipolares dejuntura durante el proceso de polarización, cuales son los límites de la misma y cuando se presentan condiciones de saturación y Corte.

El Transistor bipolar (BJT),fue inventado en 1948 por John Bardeen y Walter H. Brattain y William Shockley. Son llamados así, porque conducen utilizando tanto portadores mayoritarios como portadores minoritarios.

La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, es un elemento que se comporta como una resistencia variable que depende de una señal eléctrica de control, entonces al cambiar elvalor de la señal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.

Es decir, un transistor es un dispositivo semiconductor que controla la regulación de una corriente grande mediante una segunda señal de mucha menor intensidad.

Para conseguir que el punto de trabajo de un transistor se situé en un determinado lugar de la recta de carga, se utiliza unos circuitosdenominados de polarización.

Polarizar un transistor implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

DEFINICIÓN DE TRANSISTORES BJT
Un transistor, es uncomponente electrónico, tanto para circuitos analógicos como digitales, que va a tener la función de aumentar la corriente de señales (audio, pulsos, video, etc.). Está compuesto por uniones de material tipo P y N (o sea Silicio y Germanio, entre otros). Por ser un semiconductor, su uso es extremadamente importante en muchos circuitos.

Los transistores, se clasifican, en cuanto a sumaterial en:

-NPN
-PNP

La nomenclatura NPN se refiere a que hay una capa de Silicio, en seguida una de Germanio y al último otra de Silicio. y así para el PNP (Germanio-Silicio-Germanio).

Los transistores tienen tres terminales o pin:

-Base
-Colector
-Emisor

Es muy importante saber identificarlos, ya que al armar un circuito, podemos provocar un mal funcionamiento o que nofuncione.

El transistor tiene polarización directa e inversa, para cada una va a tener una función en especial, también existen (gráficamente) tres zonas:

- Corte
- Saturación
- Activa

 En la zona de corte vamos a tener un transistor inutilizado
 En la zona de saturación es cuando empieza a funcionar
 En la activa es cuando ya está realizando su funciónFUNCIONAMIENTO Y POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en lossemiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.





Estructura y símbolo de un transistor NPN

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente aplicada a la base en configuración emisor común es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolodel transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

FUNCIONAMIENTO Y POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del...
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