Fet Y Mosfet

Transistor de efecto de campo FET:
El transistor de efecto campo, es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductoreshabituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT transistores de película fina es una película que se deposita sobre un sustrato usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD
Tienen tres terminales, denominadas puerta , drenador y fuente, la puerta es la terminalequivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Características:
* Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
* No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
* Hastacierto punto es inmune a la radiación.
* Es menos ruidoso.
* Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
Ventajas del FET:
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET sonmás fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

7) Los FET depotencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET:
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.

3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática, en este apartado seestudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.

Aplicaciones:
* Aislador o separador
* Amplificador de RF
* Mezclador
* Amplificador con CAG
* Troceador
* Resistor variable por voltaje
* Amplificador baja frecuencia
* Oscilador
* Circuito MOS digital

| P-channel |
| N-channel |Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). |

Tipo de transistores de efecto campo

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET:
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas, aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D),compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. El transistor MOSFET está basado en la estructura MOS.
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunqueel transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la compuerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de drenador y surtidor, gracias al efecto de campo, el término...