GUIA DE ELECTRONICA
Páginas: 23 (5711 palabras)
Publicado: 9 de marzo de 2014
GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA
1. Como se define un semiconductor
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse intermedia, situada entre las de un aislante y de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores más conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge), debido a que, el comportamiento del silicio es más estable que elgermanio frente a todas las perturbaciones externas que pueden hacer variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado sólido.
2. Cuáles son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio
0.7 volts para el silicio y 0.3 para el germanio
3. Cuáles son las características básicas delos semiconductores
El átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean, (en el caso del silicio este número es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón está más ligado al núcleo,cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados del mismo. Son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores los que pueden ser liberados al inyectarles una pequeña energía.
(Solo dejan pasar la corriente hacia un solo lado. Son uniones PN o NP. Se utilizan para producir una señal consemiciclos positivos o negativos únicamente)
4. Ilustre la estructura atómica del silicio
La zona sombreada de la figura 2 representa de una
manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atracción del núcleo son cuatro
5. Mencione la clasificación de los semiconductoresSemiconductores Intrínsecos y Extrínsecos
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"
Como ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente eléctrica, comportandose como materiales aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamosañadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide, como por ejemplo antimonio (Sb) (elemento perteneciente a los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia), estos átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a losátomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrón restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.
Estructura cristalina compuesta porátomos de silicio (Si) formando una celosía. Como se puede observar, esta estructura se ha dopado añadiendo átomos de antimonio (Sb) para crear un material semiconductor “extrínseco”. Los átomos de silicio (con cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los átomos de antimonio (con cinco en su última órbita banda de valencia). En esa uniónquedará un electrón libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada átomo de antimonio que se haya añadido. De esa forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura.
Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica...
1. Como se define un semiconductor
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse intermedia, situada entre las de un aislante y de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores más conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge), debido a que, el comportamiento del silicio es más estable que elgermanio frente a todas las perturbaciones externas que pueden hacer variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado sólido.
2. Cuáles son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio
0.7 volts para el silicio y 0.3 para el germanio
3. Cuáles son las características básicas delos semiconductores
El átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean, (en el caso del silicio este número es de 14). El interés del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón está más ligado al núcleo,cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados del mismo. Son los electrones que se encuentran en las órbitas exteriores los que pueden ser liberados al inyectarles una pequeña energía.
(Solo dejan pasar la corriente hacia un solo lado. Son uniones PN o NP. Se utilizan para producir una señal consemiciclos positivos o negativos únicamente)
4. Ilustre la estructura atómica del silicio
La zona sombreada de la figura 2 representa de una
manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atracción del núcleo son cuatro
5. Mencione la clasificación de los semiconductoresSemiconductores Intrínsecos y Extrínsecos
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"
Como ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente eléctrica, comportandose como materiales aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamosañadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide, como por ejemplo antimonio (Sb) (elemento perteneciente a los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia), estos átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a losátomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrón restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.
Estructura cristalina compuesta porátomos de silicio (Si) formando una celosía. Como se puede observar, esta estructura se ha dopado añadiendo átomos de antimonio (Sb) para crear un material semiconductor “extrínseco”. Los átomos de silicio (con cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los átomos de antimonio (con cinco en su última órbita banda de valencia). En esa uniónquedará un electrón libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada átomo de antimonio que se haya añadido. De esa forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura.
Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica...
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