Materia

ITSVA F O R M A T O D E P R Á C T I C A

DATOS DE LA PRÁCTICA

NOMBRE DE LA CARRERA | Ingeniería Industrial |
NÚMERO DE SEMESTRE | 3 | GRUPO | Único |
*TIPO DE PRÁCTICA | Ordinario | FECHA | 22/11/12 |
NOMBRE DE LA ASIGNATURA | Electricidad y Electrónica Industrial |
UNIDADES TEMATICAS | III |
N. ALUMNOS POR PRÁCTICA | 5 |NOMBRE DEL DOCENTE | Ing. José Sabino Canché Cetzal. |
NOMBRE(S) DEL ALUMNO(S) | |
TIEMPO ESTIMADO | 1 hrs | VALOR DE LA PRÁCTICA | 10 pts | CALIF. | |
COMENTARIO | |
*Tipos de práctica: Ordinario, complementación, especial

CONTENIDO DE LA PRÁCTICA

Práctica N. 1

DIODO SEMICONDUCTOR

OBJETIVO DE LA PRÁCTICA: Simular y armar físicamente los dos tipos de polarizaciones que tienenlos diodos semiconductores.

MATERIAL A UTILIZAR:
Pinzas de corte y de punta.
Calculadora.
3 Diodos de silicio de 1 A o diodos rectificadores.
2 Diodos de Germanio
Resistencias de varios valores

EQUIPO A UTILIZAR:
Fuente de voltaje
Multímetro.
Computadora.
Protoboard

PROCEDIMIENTO: Considerando las polarizaciones de los diodos semiconductores, simula y arma físicamente lossiguientes diagramas:

1) Calcula el VD3 y VR6

2) Calcula VD2 y VR3

todos los diodos son de si

3) Calcula VD2 y VR2

4) Calcula VD6 y VR7
TODOS LOS DIODOS SON DE SILICIO

REPORTE: Entregar las respuestas en la libreta.

CONCLUSIÓN DE LA PRÁCTICA N. 1

ITSVA F O R M A T O D E P R Á C T I C A

DATOSDE LA PRÁCTICA

NOMBRE DE LA CARRERA | Ingeniería Industrial |
NÚMERO DE SEMESTRE | 3 | GRUPO | Único |
*TIPO DE PRÁCTICA | Ordinario | FECHA | 23/11/12 |
NOMBRE DE LA ASIGNATURA | Electricidad y Electrónica Industrial |
UNIDADES TEMATICAS | III |
N. ALUMNOS POR PRÁCTICA | 5 |
NOMBRE DEL DOCENTE | Ing. José Sabino Canché Cetzal. |
NOMBRE(S) DEL ALUMNO(S) | |
TIEMPO ESTIMADO |1 hrs | VALOR DE LA PRÁCTICA | 10 pts | CALIF. | |
COMENTARIO | |
*Tipos de práctica: Ordinario, complementación, especial

CONTENIDO DE LA PRÁCTICA

Práctica N. 2

TRANSISTOR Y DIODO EMISOR DE LUZ

OBJETIVO DE LA PRÁCTICA: Simular y armar físicamente las distintas polarizaciones del transistor BJT, así como el uso del diodo emisor de luz (LED).

MATERIAL A UTILIZAR:
Pinzas decorte y de punta.
Calculadora.
Transistor BC558
Transistor BC548
Diodos emisores de Luz.
Resistencias de 330 ohms y 220 ohms.

EQUIPO A UTILIZAR:
Fuente de voltaje.
Multímetro.
Computadora.
Protoboard

PROCEDIMIENTO: Para cada diagrama, simula, arma físicamente y determina las condiciones de cada LED.

1) 2)DIAGRAMA | J2A | J1A | LED1 |
1 | 0 | 0 | |
| 0 | 1 | |
| 1 | 0 | |
| 1 | 1 | |
2 | J4A | J3A | LED2 |
| 0 | 0 | |
| 0 | 1 | |
| 1 | 0 | |
| 1 | 1 | |

REPORTE: Entregar las respuestas en la libreta.

CONCLUSIÓN DE LA PRÁCTICA N. 2

ITSVA F O R M A T O D E P R Á C T I C ADATOS DE LA PRÁCTICA

NOMBRE DE LA CARRERA | Ingeniería Industrial |
NÚMERO DE SEMESTRE | 3 | GRUPO | Único |
*TIPO DE PRÁCTICA | Ordinario | FECHA | 29/11/12 |
NOMBRE DE LA ASIGNATURA | Electricidad y Electrónica Industrial |
UNIDADES TEMATICAS | III |
N. ALUMNOS POR PRÁCTICA | 5 |
NOMBRE DEL DOCENTE | Ing. José Sabino Canché Cetzal. |
NOMBRE(S) DEL ALUMNO(S) | |TIEMPO ESTIMADO | 1 hrs | VALOR DE LA PRÁCTICA | 10 pts | CALIF. | |
COMENTARIO | |
*Tipos de práctica: Ordinario, complementación, especial

CONTENIDO DE LA PRÁCTICA

Práctica N. 3

CIRCUITO DE DISPARO Y CONTROL EMPLEANDO UN SCR Y TRIACS

OBJETIVO DE LA PRÁCTICA: El alumno identificara el funcionamiento del SCR y el funcionamiento de un TRIAC, así como sus ángulos de disparo...