Practica 2 Transistores

Universidad Tecnológica de México
Ingeniería Mecatrónica
Materia: Dispositivos Electrónicos

Práctica 2
Área: Ingeniería
Dispositivos Electrónicos

UNITEC Campus Sur

Enero 2011

Práctica No. 2
Características y
aplicaciones del transistor
bipolar

Fecha de elaboración: ____________
Fecha Revisión: _________________
Responsable: ___________________

Objetivo

Determinar el tipo de transistor(NPN o PNP) empleando el
multímetro.
Obtener las curvas características de salida del transistor
bipolar (BJT, por sus siglas en inglés) en configuración de
emisor común para diferentes corrientes de base.
Comprender el término de estado de corte y saturación del
transistor.
Comprender la activación de un relevador mediante un
transistor aplicando la condición de corte y de saturación

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Normas de Seguridad
Evitar juntar las terminales del cable del generador de
funciones.
Si el equipo presenta alguna falla no trates de corregirlo, pide
ayuda al encargado del laboratorio.
Para evitar accidentes no te distraigas durante el desarrollo
de la práctica.
Evitar realizar mediciones directamente a la línea de
alimentación con las puntas delosciloscopio, ya que puedes
causar un corto circuito si no sabes la polaridad del contacto
del tomacorriente.
Asegurar el tipo de medición de voltaje, corriente o
impedancia, que se va a realizar con el multímetro, ya que si
no se realiza la selección previa de la variable a medir, se
fundirán los fusibles o se dañará el multímetro

Equipo de Seguridad.
 Zapato cerrado

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Investigación Previa
Estudia los siguientes conceptos y explícalos en un resumen.
1. Consulta y descarga de Internet la hoja de especificación del
transistor TBJ (BJT) BC327 (o 2N2907A) y BC337 (o 2N2222A) para
determinar
su
configuración.
Puedes
usar
la
página:
www.datasheet.in, www.unicrom.com o alguna similar.
2. Consulta y descarga de Internet la hoja deespecificación del
relevador que vas a emplear, con el fin de definir la disposición de las
terminales del mismo. Usa por ejemplo: www.steren.com.mx o alguna
similar.
3. Consulta el manual de operación del multímetro a emplear para las
mediciones de voltaje y corriente en corriente directa y corriente
alterna.
Entrega al inicio de la clase un resumen de máximo cuatro cuartillas de los
puntos anteriores.Equipo
Un osciloscopio analógico de dos canales (también puede utilizarse un
osciloscopio digital).
Un generador de funciones.
Una fuente dual de CD.
Un multímetro digital con puntas.
2 cables coaxiales (conector BNC a caimán).
4 cables banana caimán.
3 cables de alimentación (interlocks).

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Material Proporcionado por el Alumno
Un transistorBC327 (o equivalente). Un transistor BC337 (o
equivalente).
2 transistores NPN con código 2N2222A.
Un transistor PNP con código BC556. Un diodo 1N4001.
Un diodo 1N4004.
Un led (diodo emisor de luz) de color rojo.
3 resistencias de 1 kΩ, ½ W. Una resistencia de 12 Ω, ½ W. Un
potenciómetro de 5 kΩ.
Un potenciómetro de 10 kΩ
Un potenciómetro de 100 kΩ.
Un relevador de 12 V con contactos o platinosNC y NA. Una tablilla
de pruebas (protoboard).
Un metro de alambre para protoboard (calibre 24 ó 26 AWG).
Una pinza de punta. Una pinza de corte
Marco Teórico
Los transistores son dispositivos semiconductores conformados por
tres regiones denominadas: región emisor, región base y región colector,
por lo tanto, las terminales que hacen conexión con estas regiones reciben
el nombre de terminalemisor, terminal de base y terminal recolector,
respectivamente. Cuando un transistor está conformado por dos regiones
tipo P y una región P, a este tipo de transistores se le denomina transistor
tipo PNP y si fueran dos regiones P y una P, sería un transistor tipo NPN es
por eso que existen dos símbolos diferentes para describir los dos
transistores.
La respuesta del transistor entre la unión base y...