Resumen U3

UNIVERSIDAD AUTONÓMA
DE NUEVO LEÓN
FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA

Ing. Fernando Treviño Martínez

Resumen Unidad #3

Veranos 2015 Hora V1~V3

Nombre: Martín De Jesús Galindo Cordero

Matricula: 1552290

Materia: Electrónica I


Monterrey Nuevo León 08 de julio de 2015
Índice.

Bibliografía……………………………………………………………. Página 3
3.1 Introducción…………………………………………………….Página 4
3.2 Construcción de un transistor…………………………. Página 5
3.3 Operación de Transistor.…………………………………. Página 6
3.4 Configuración en base común…………………………. Página 8
Alfa (α)………………………………………………………………… Página 12
Polarización………………………………………………………… Página 13
3.5 Acción amplificadora del transistor…………………. Página 14
3.6 Configuración en emisor común……………………… Página15
Beta(β)…………………………………………………………………. Página 17
3.7 Configuración en colector común……………………. Página 18
3.8 Límites de operación……………………………………….. Página 19
3.9 Hojas de especificaciones del transistor…………. Página 20
3.10 Prueba de un transistor…………………………………. Página 21




Bibliografía.















3.1 INTRODUCCIÓN
Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo de vacío, o bulbo, fue sin duda el dispositivo electrónico demayor interés y desarrollo. J. A. Fleming presentó en 1904 el diodo de tubo de vacío. Poco tiempo después, en 1906, Lee de Forest agregó un tercer elemento, llamado rejilla de control al diodo de tubo de vacío y el resultado fue el primer amplificador, el tríodo.
El 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica iba a experimentar el advenimiento de una dirección completamente nueva encuanto a interés y desarrollo. Fue en la tarde de este día en que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la acción amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra en la figura 3.1
.





3.2 CONSTRUCCIÓN DE UN TRANSISTOR.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas dematerial tipo “n” y una de material tipo “p” o de dos capas de material tipo “p” y una de material tipo “n”. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarización de CD apropiada.
La polarización de CD es necesaria para establecer la región de operación apropiada para la amplificación de CA. La abreviatura BJT (de bipolar junctiontransistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado. Si se emplea sólo un portador (electrón o hueco), se considera que es un dispositivo unipolar.











3.3 OPERACIÓN DEL TRANSISTO.
La operación del transistor npn es exactamente la mismacon los roles de los electrones y huecos intercambiados. En la figura 3.3 se volvió a dibujar el transistor pnp sin polarización entre la base y el emisor.
Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se muestra en la figura 3.4. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es sólo un flujo de portadores minoritarios,como se indica en la figura 3.4. En suma, por consiguiente: La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.


En la figura 3.5 se aplicaron ambos potenciales de polarización a un transistor pnp, con los flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la figura 3.5 los anchos de las regiones de empobrecimiento dondese ve con claridad cuál unión es polarizada en directa y cual lo está polarizada en inversa. Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión p–n polarizada en directa hacia el material tipo n.
Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un nodo único obtenemos

Y...