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Publicado: 1 de octubre de 2010
COLECTOR EMISOR COMUN
2.3 Configuración de emisor común.
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 2.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuración de emisor común porque el emisor es común tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también común a las terminales de la base y del colector). Denuevo se necesitan dos conjuntos de características para describir en forma completa el comportamiento de la configuración de emisor común: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 2.14.
Figura 2.13a Símbolo y notación del transistor NPN en configuración de Emisor común.
Figura 2.13b Símbolo y notación deltransistor PNP en configuración de Emisor común.
Figura 2.14a Características del colector un transistor BJT de Silicio en la configuración de emisor común.
Figura 2.14b Características de la base un transistor BJT de Silicio en la configuración de emisor común.
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de comente convencional real. Auncuando la configuración del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuración de base común.
En la configuración de emisor común las características de la salida serán una gráfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las características de laentrada son una gráfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE).
Obsérvese que en las características de la figura 3.14a la magnitud de IB es del orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Nótese también que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración debase común, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la corriente de colector.
La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la que las curvas correspondientes a IB son casi líneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14a esta regiónse localiza a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se denomina región de saturación. En la región activa de un amplificador emisor común la unión colector-base está polarizada inversamente, en tanto que la unión base-emisor está polarizada directamente.
Se recordará que éstas fueron las mismascondiciones que existieron en la región activa de la configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común puede emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien definida como en la configuración de base común. Nótese, en las características de colector de la figura 3.14a que IC no esigual a cero cuando IB = 0. En la configuración de base común, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue sólo igual a la corriente de saturación inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propósitos prácticos) uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse mediante la manipulación adecuada delas ecuaciones (2.3) y (2.6). Es decir:
Ecuación (2.6): IC = IE + ICBO Ecuación 2.13
La sustitución de la Ecuación (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO Ecuación 2.14
Reordenando obtenemos:
Ecuación 2.15
Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor típico de tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:...
2.3 Configuración de emisor común.
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se muestra en la figura 2.13 para los transistores pnp y npn. Se denomina configuración de emisor común porque el emisor es común tanto a las terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también común a las terminales de la base y del colector). Denuevo se necesitan dos conjuntos de características para describir en forma completa el comportamiento de la configuración de emisor común: una para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector. Ambas se muestran en la figura 2.14.
Figura 2.13a Símbolo y notación del transistor NPN en configuración de Emisor común.
Figura 2.13b Símbolo y notación deltransistor PNP en configuración de Emisor común.
Figura 2.14a Características del colector un transistor BJT de Silicio en la configuración de emisor común.
Figura 2.14b Características de la base un transistor BJT de Silicio en la configuración de emisor común.
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su dirección de comente convencional real. Auncuando la configuración del transistor ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes desarrolladas antes para la configuración de base común.
En la configuración de emisor común las características de la salida serán una gráfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las características de laentrada son una gráfica de la comente de entrada (IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del voltaje de salida (VCE).
Obsérvese que en las características de la figura 3.14a la magnitud de IB es del orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Nótese también que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se obtuvieron para IE en la configuración debase común, lo que indica que el voltaje de colector a emisor afectará la magnitud de la corriente de colector.
La región activa en la configuración de emisor común es aquella parte del cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la región en la que las curvas correspondientes a IB son casi líneas rectas y se encuentran igualmente espaciadas. En la figura 3.14a esta regiónse localiza a la derecha de la línea sombreada vertical en VCEsat por encima de la curva para IB igual a cero. La región a la izquierda de VCEsat se denomina región de saturación. En la región activa de un amplificador emisor común la unión colector-base está polarizada inversamente, en tanto que la unión base-emisor está polarizada directamente.
Se recordará que éstas fueron las mismascondiciones que existieron en la región activa de la configuración de base común. La región activa de la configuración de emisor común puede emplearse en la amplificación de voltaje, corriente o potencia.
La región de corte en la configuración de emisor común no está tan bien definida como en la configuración de base común. Nótese, en las características de colector de la figura 3.14a que IC no esigual a cero cuando IB = 0. En la configuración de base común, cuando la corriente de entrada IE = 0, la corriente de colector fue sólo igual a la corriente de saturación inversa ICO, por lo que la curva IE = 0 y el eje de voltaje fueron (para todos los propósitos prácticos) uno.
La razón de esta diferencia en las características del colector puede obtenerse mediante la manipulación adecuada delas ecuaciones (2.3) y (2.6). Es decir:
Ecuación (2.6): IC = IE + ICBO Ecuación 2.13
La sustitución de la Ecuación (3.3): IC = ( IC + IB) + ICBO Ecuación 2.14
Reordenando obtenemos:
Ecuación 2.15
Si consideramos el caso discutido anteriormente, donde IB = 0 A, y sustituimos un valor típico de tal como 0.996, la corriente de colector resultante es la siguiente:...
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