trabajo de electronica 2 URBE
Páginas: 5 (1212 palabras)
Publicado: 4 de octubre de 2014
SCR
Como lo indica la terminología, el SCR es un rectificador construido de silicio que cuenta con una tercera terminal para efectos de control. Se eligió el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operación básica del SCR es distinta de la operación del diodo semiconductor fundamental de dos capas, en el hecho de que una tercera terminal, denominada compuerta,determina el momento en el que el rectificador cambia del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente con simplemente polarizar de forma directa la región del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de conducción, la resistencia dinámica del SCR es por lo general de 0.01 a. 0.1 OHMs. La resistencia inversa es típicamente de 100 kilo ohms o más.
SCS
Elinterruptor controlado de silicio (SCS, Silicon-Controlled Switch), de la misma forma que el rectificador controlado de silicio, es un dispositivo pnpn de cuatro capas; todas estas capas semiconductoras del SCS se encuentran disponibles gracias a la adición de una compuerta de ánodo, como se muestra en la figura 20.16a. En la misma figura se muestra el símbolo gráfico y el circuito equivalente detransistor. Las características del dispositivo son básicamente las mismas que las del SCR. F.I efecto de una corriente de compuerta de ánodo es muy similar al demostrado para la corriente de compuerta en la figura 20.7. Mientras mayor sea la corriente de compuerta de ánodo, menor será el voltaje requerido de ánodo a cátodo para encender el dispositivo.
Una ventaja del SCS sobre el SCRcorrespondiente es el tiempo reducido de apagado que, por lo general, se ubica dentro del rango de 1 a 10 para el SCS y de 5 a 30 µs para el SCR. Algunas de las ventajas restantes del SCS sobre el SCR incluyen una mayor sensibilidad de control y de disparo y una situación de disparo más predecible. Actualmente, sin embargo, el SCS se encuentra limitado a niveles de baja potencia, corriente yvoltaje. El rango de corrientes de ánodo típicas máximas van de 100 a 300 mA con niveles de disipación (potencia) de 100 a 500 mW.
GTO
El interruptor controlado en compuerta (GTO, Gate Tum-off Switch) es el tercer dispositivo pnpn que se presentará en este capítulo. Sin embargo, de la misma forma que para el SCR, este dispositivo sólo cuenta con tres terminales externas, como lo indica la figura20.21a. Su símbolo gráfico también se muestra en la figura 20.21b. Aunque este símbolo gráfico es diferente tanto del SCR como del SCS, el equivalente de transistor es exactamente el mismo y las características son similares.
La ventaja más obvia del GTO sobre el SCR y el SCS es el hecho de que puede ser encendido o apagado mediante la aplicación del pulso apropiado a la compuerta de cátodo(sin la compuerta de ánodo y demás circuitería requerida para el SCS). Una consecuencia de esta capacidad de apagado es un incremento en la magnitud de la corriente de compuerta requerida para el disparo. Para un SCR y un GTO con valores de corriente rms similares, la corriente de compuerta para disparo de un SCR particular es de 30 pA mientras que la corriente para el disparo del GTO es de 20mA.
LASCR
El siguiente en la serie de dispositivos pnpn es el SCR activado por luz (LASCR). Como lo indica la terminología, se trata de un SCR cuyo estado lo controla la luz que incide sobre una capa semiconductora de silicio del dispositivo. La construcción básica de un LASCR se muestra en la figura 20.24a. Como se indica en esta misma figura, también se proporciona una terminalde compuerta para permitir el disparo del dispositivo mediante métodos tradicionales del SCR. Observe también en la figura que la superficie de monta-
je para la perla de silicio será la conexión del ánodo para el dispositivo. En la figura 20.24b se proporcionan los símbolos gráficos que con mayor frecuencia se utilizan para el LASCR. La identificación de terminales y un LASCR típico aparecen...
Como lo indica la terminología, el SCR es un rectificador construido de silicio que cuenta con una tercera terminal para efectos de control. Se eligió el silicio debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia. La operación básica del SCR es distinta de la operación del diodo semiconductor fundamental de dos capas, en el hecho de que una tercera terminal, denominada compuerta,determina el momento en el que el rectificador cambia del estado de circuito abierto al de circuito cerrado. No es suficiente con simplemente polarizar de forma directa la región del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de conducción, la resistencia dinámica del SCR es por lo general de 0.01 a. 0.1 OHMs. La resistencia inversa es típicamente de 100 kilo ohms o más.
SCS
Elinterruptor controlado de silicio (SCS, Silicon-Controlled Switch), de la misma forma que el rectificador controlado de silicio, es un dispositivo pnpn de cuatro capas; todas estas capas semiconductoras del SCS se encuentran disponibles gracias a la adición de una compuerta de ánodo, como se muestra en la figura 20.16a. En la misma figura se muestra el símbolo gráfico y el circuito equivalente detransistor. Las características del dispositivo son básicamente las mismas que las del SCR. F.I efecto de una corriente de compuerta de ánodo es muy similar al demostrado para la corriente de compuerta en la figura 20.7. Mientras mayor sea la corriente de compuerta de ánodo, menor será el voltaje requerido de ánodo a cátodo para encender el dispositivo.
Una ventaja del SCS sobre el SCRcorrespondiente es el tiempo reducido de apagado que, por lo general, se ubica dentro del rango de 1 a 10 para el SCS y de 5 a 30 µs para el SCR. Algunas de las ventajas restantes del SCS sobre el SCR incluyen una mayor sensibilidad de control y de disparo y una situación de disparo más predecible. Actualmente, sin embargo, el SCS se encuentra limitado a niveles de baja potencia, corriente yvoltaje. El rango de corrientes de ánodo típicas máximas van de 100 a 300 mA con niveles de disipación (potencia) de 100 a 500 mW.
GTO
El interruptor controlado en compuerta (GTO, Gate Tum-off Switch) es el tercer dispositivo pnpn que se presentará en este capítulo. Sin embargo, de la misma forma que para el SCR, este dispositivo sólo cuenta con tres terminales externas, como lo indica la figura20.21a. Su símbolo gráfico también se muestra en la figura 20.21b. Aunque este símbolo gráfico es diferente tanto del SCR como del SCS, el equivalente de transistor es exactamente el mismo y las características son similares.
La ventaja más obvia del GTO sobre el SCR y el SCS es el hecho de que puede ser encendido o apagado mediante la aplicación del pulso apropiado a la compuerta de cátodo(sin la compuerta de ánodo y demás circuitería requerida para el SCS). Una consecuencia de esta capacidad de apagado es un incremento en la magnitud de la corriente de compuerta requerida para el disparo. Para un SCR y un GTO con valores de corriente rms similares, la corriente de compuerta para disparo de un SCR particular es de 30 pA mientras que la corriente para el disparo del GTO es de 20mA.
LASCR
El siguiente en la serie de dispositivos pnpn es el SCR activado por luz (LASCR). Como lo indica la terminología, se trata de un SCR cuyo estado lo controla la luz que incide sobre una capa semiconductora de silicio del dispositivo. La construcción básica de un LASCR se muestra en la figura 20.24a. Como se indica en esta misma figura, también se proporciona una terminalde compuerta para permitir el disparo del dispositivo mediante métodos tradicionales del SCR. Observe también en la figura que la superficie de monta-
je para la perla de silicio será la conexión del ánodo para el dispositivo. En la figura 20.24b se proporcionan los símbolos gráficos que con mayor frecuencia se utilizan para el LASCR. La identificación de terminales y un LASCR típico aparecen...
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