1 DIODOS


UNIVERSIDAD nacional de Chimborazo
Riobamba – Ecuador

Facultad de Ingeniería.

Electrónica y Telecomunicaciones

Cuarto Semestre

- Electrónica I y Laboratorio –


INFORME DE LABORATORIO Nº 1


Profesor de Cátedra.- Giovanny Cuzco, Ing.

Pertenece a: Ricardo Abad , Jefferson Pino, Jheferson Naranjo.

Fecha Límite de entrega.- Abril 29 de 2015

-DIODOS-

I. Tema: Diodos.

II. ObjetivoGeneral:

Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva característica.

III. Objetivos Específicos:

Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multímetro.
Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando la polarización directa e inversa.
Construir la curva característica (real) de los diodos semiconductores.

IV. Introducción.
Un diodo esla unión de dos semiconductores, uno de tipo N (con exceso de cargas negativas), y otro de tipo P (con exceso de cargas positivas o huecos), el esquema de la unión PN, el símbolo del diodo y su curva característica aparecen en la figura.

V. Marco Teórico.
El tipo más simple de dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempeña un papel importante en los sistemas electrónicoscon sus características que son muy similares a las de un interruptor aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las más sencillas a las más complejas y de muy alta velocidad.
La aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibles polarizaciones:
Sin polarización (); polarización directa ( ); y polarización inversa ().
Un diodo semiconductor tienepolarización inversa cuando se asocia el materia tipoi P a un potencial negativo y el material tipo N a un potencial positivo.
La polarización directa se da cuando se aplica un voltaje positivo a el material tipo P y un potencial negativo al material tipo N.
A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se llama corriente de saturación inversa (). Mediante del empleo de la físicadel estado sólido se ha llegado a encontrar que la corriente a través del diodo semiconductor es una función del voltaje aplicado entre sus terminales, de la siguiente manera:

Es la corriente en el diodo, medida en amperes.
: Es el valor de la corriente de saturación inversa, es del orden de los nanoamperes o de microamperios.
K: Es una constante que depende también del material deldispositivo, con para G y para Si.
T: Es la temperatura ambiente expresada en ºK, (ºK=ºC+273).
I. Materiales Requeridos.

2 diodos de silicio IN4001 o IN 4004.
2 diodos Zener a 9V.
2 diodos de Germanio 0A90.
2 LED de diferente color.
1 resistor de 220Ω a W.
1 resistor de 1KΩ a W.
1 resistor variable de 10 KΩ.
Protoboard.
Multimetros; Analogico y Digital.
Fuente de voltaje variable de 0 30 V.Generador de sañales.
Osciloscopio.
Lote de varios materiales de coneccion.

VI. Desarrollo Práctico.

EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACION DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS.

a) Por observacion, identifique el ánodo y cátodo de los distintos diodos que esta utilizando, dibuje y anote susobservaciones.

El diodo presenta presenta una banda en uno de sus extremos el cual representa su cátodo.



b)Empleando el “MULTIMETRO aNALÓGICO” como primera prueba, en la funcion de “OHMS” compruebe el insiso anterio, conectado el ohmetro en los extremos del diodo en polarización directa y polarización inversa, como se indica en la fig. 1 reportando en cda caso la resistencia medida:






c) Con un “MULTIMETRO DIGITAL” en funcion de “DIODO” realice la medicion del voltaje de conduccón () en polarizaciondirecta y polarizacion inversa de cada elemento.


Tipo de diodo
Polarizacion Directa
Polarizacion Inversa
Germanio
0.757
0
Silicio
0.565
0
LED
1.866
0


EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.

a) Arme el experimento que, utilizando un diodo de silicio pueda obtener datos para trazar su curva caracteristica.


b) Partiendo de 0V, aumante gradualmente la tencion la tención...