Amplificador Fet

AMPLIFICACION FET (SOURCE) COMUN
Introducción:
Una configuración del transistor de silicio se pueden obtener los niveles de polarización al utilizar las ecuaciones características VBE=0.7, IC=ΒIB e IC ≈ IE. La relación entre las variables de entrada y de salida la proporciona el β, la cual asumió una magnitud fija para el análisis que se llevo a cabo. El hecho que el beta (β) sea unaconstante establece una relación lineal entre IC e IB. El duplicar el valor de IB duplicara el nivel IC y así sucesivamente.
Para el transistor de efecto de campo la relación entre las cantidades de entrada y de salida es no lineal, debido al término cuadrático en la ecuación de Schockley. Las relaciones lineales resultan en líneas rectas cuando se dibujan en una grafica de una variable en función deotra, mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron para las características de transferencia de un JFET. La relación no lineal entre ID y VGS puede complicar el método matemático del análisis de dc de las configuraciones a FET.
Otra diferencia distintiva entre el análisis del los transistores BJT y FET es que la variable de entrada que controla untransistor BJT es el nivel de la corriente, mientras que para el FET la variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente que también define los niveles importantes de voltaje del circuito de salida.
MARCO TEORICO.
TRANSISTOR FET:

Figura 1

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamadosasí porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familiade dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
2) Explicación de la combinación de portadores.
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye unacorriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.
            En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
            Loanteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Figura 2
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemossobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características delos distintos dispositivos.
3) Explicación de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y...