Amplificador Ganancia Fet-Bjt

Instituto Tecnológico Superior de UruapanPracticas #2 y #3 | |

INTEGRANTES:

Víctor Uriel Orozco Ascencion
Luis Alberto Gutiérrez Ramírez
Alejandro Castañeda Reyes
Jairo Alejandro Galeana Sánchez

ING. electrónica

SEMESTRE:
6° Semestre

MATERIA:

Electrónica analógica 2

Uruapan, Michoacán

MARCO TEORICO
TRANSISTOR DEEFECTO DE CAMPO (J-FET)

El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".
En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.

Principio de operación del JFET (de canal N).
El J-FET tiene tres regiones deoperación. Estas regiones son:
| Zona Lineal. |
| Zona de Saturación. |
| Zona de Corte. |
Zona Lineal.
Si se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenador al surtidor, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitada por una resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones,según sea VDS grande o pequeña en comparación con VDS.
Zona de Saturación.
Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto en donde el espesor del canal en el extremo del drenador se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal con lo que la resistencia global aumenta.
Laregión de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenador, lo que sucede cuando la tensión puerta-drenador (VGD) es más negativa que VP.
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Zona de corte.
La zona de tipo P, conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la mismazona de deplexión en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada. Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplexión, con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción.
Si el valor de VGS se hace lo suficientementenegativo, la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID. El potencial al que se sucede este fenómeno se llama potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).
Por lo tanto, para valores más negativos de VP, el transistor se encuentra polarizado en la zona de corte, y la corriente de drenajeresulta ser nula.

Curvas características del Transistor de Efecto de Campo.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT).

El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solocristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.Tipos de Transistor de Unión Bipolar

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.

PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del...