Amplificador Multietapa
Páginas: 2 (367 palabras)
Publicado: 6 de noviembre de 2012
DISEÑO AMPLIFICADOR MULTIETAPA
1. Diseño de la etapa 2 :
Las características para esta etapa son las siguientes:
* Ganancia de la etapa : Av = -200
* Impedancia de carga :RL= 3 k¨.
* Referencia del dispositivo : BJT, NPN, 2N2222A
* Voltaje base-emisor : VBE = 0.7V
* Beta del dispositivo: ß = 100
* Valor fuente DC : Vcc= 20V
* Se requiere diseñopara máxima excursión del voltaje de salida
El esquemático de esta etapa se puede apreciar en la figura 2.
Figura 2.
Para iniciar optamos por tomar como criterio de diseño el valor de Rcigual al valor de la carga RL definido desde un comienzo. Entonces Rc = 3 k¨.
Comenzamos por determinar el valor de re´ de la siguiente forma:
Determinado el valor de re´ es posible hallar elvalor de ICQ, de la siguiente manera:
Teniendo muy en cuenta la consideración de que se debe estar centrado en la recta AC, recurrimos a la siguiente ecuación., que tiende precisamente a centrar elpunto de operación:
, donde RAC= [RC || RL] = 1.5 k¨, y RDC= RC+RE.
Despejando de la ecuación de ICQ, a RE, pues todos los demás valores son conocidos, tenemos:
El diseño continua con elcalculo de la resistencia de base, RB, la cual posteriormente nos permitirá calcular el valor de R1 y R2, ya que RB es el resultante del paralelo entre R1 y R2. Definimos en nuestros criterios dediseño que RB << (ß + 1) RE con el ánimo de tener independencia del beta del transistor. Por eso : RB =10% (ß + 1) RE = (0.1) (100+1)( 1.269k¨) . Entonces RB= 12.82 k¨.
Estamos en capacidad de hallarel VBB o sea la caída de tensión sobre R2. La hallamos así:
Finalmente hallamos los valores de R1 y de R2 de la siguiente manera:
Para finalizar con los cálculos de esta etapa, esnecesario calcular la impedancia de entrada de esta, ya que dicha impedancia será la carga vista por la primera etapa que procederemos a diseñar en unos instantes. La impedancia de entrada Zin1 será:...
1. Diseño de la etapa 2 :
Las características para esta etapa son las siguientes:
* Ganancia de la etapa : Av = -200
* Impedancia de carga :RL= 3 k¨.
* Referencia del dispositivo : BJT, NPN, 2N2222A
* Voltaje base-emisor : VBE = 0.7V
* Beta del dispositivo: ß = 100
* Valor fuente DC : Vcc= 20V
* Se requiere diseñopara máxima excursión del voltaje de salida
El esquemático de esta etapa se puede apreciar en la figura 2.
Figura 2.
Para iniciar optamos por tomar como criterio de diseño el valor de Rcigual al valor de la carga RL definido desde un comienzo. Entonces Rc = 3 k¨.
Comenzamos por determinar el valor de re´ de la siguiente forma:
Determinado el valor de re´ es posible hallar elvalor de ICQ, de la siguiente manera:
Teniendo muy en cuenta la consideración de que se debe estar centrado en la recta AC, recurrimos a la siguiente ecuación., que tiende precisamente a centrar elpunto de operación:
, donde RAC= [RC || RL] = 1.5 k¨, y RDC= RC+RE.
Despejando de la ecuación de ICQ, a RE, pues todos los demás valores son conocidos, tenemos:
El diseño continua con elcalculo de la resistencia de base, RB, la cual posteriormente nos permitirá calcular el valor de R1 y R2, ya que RB es el resultante del paralelo entre R1 y R2. Definimos en nuestros criterios dediseño que RB << (ß + 1) RE con el ánimo de tener independencia del beta del transistor. Por eso : RB =10% (ß + 1) RE = (0.1) (100+1)( 1.269k¨) . Entonces RB= 12.82 k¨.
Estamos en capacidad de hallarel VBB o sea la caída de tensión sobre R2. La hallamos así:
Finalmente hallamos los valores de R1 y de R2 de la siguiente manera:
Para finalizar con los cálculos de esta etapa, esnecesario calcular la impedancia de entrada de esta, ya que dicha impedancia será la carga vista por la primera etapa que procederemos a diseñar en unos instantes. La impedancia de entrada Zin1 será:...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.