Aproximaciones del transistor

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CONSULTA # 4
Tema: Aproximaciones del Q

Las características de entrada y salida no son lineales:

Esta es la aproximación ideal, por lo tanto la menosexacta de las tres, las características de entrada y salida son estas:

Esta aproximación no es tan ideal como la anterior por lo tanto se parece más al funcionamiento real del transistor.

Laaproximación más exacta o la que más se parece a la realidad, por lo tanto algo más compleja que las anteriores, se gana en exactitud pero también en complejidad.

Ejemplo: En este ejemplo seusará las 3 aproximaciones para ver que error se comete de una a otra.

1ª aproximación
Para saber donde estamos hacemos una hipótesis. Hipótesis: ACTIVA.

Vemos que la UE está en directa y la UCestá en inversa por lo tanto la hipótesis es correcta, estamos en activa.

2ª aproximación

También queda demostrado que nos encontramos en activa. La mayor diferencia está en VCE y debido esose recomienda usar la 2ª aproximación en vez de la 1ª aproximación.
En problemas complicados, con varios transistores, para reducir incógnitas se toma: IC = IE.
La 3ª aproximación no se sueleutilizar, porque no se sabe en qué punto estamos trabajando (punto Q). En prácticas se podría utilizar la 3ª aproximación midiendo la tensión VBE con el voltímetro, pero en problemas no se usa la 3ªaproximación.
Si supiéramos su valor, aplicamos la 3ª aproximación y se ven los valores que salen:

3ª aproximación
Por ejemplo con un voltímetro mido la tensión VBE y me sale el siguiente valor:Los errores son mínimos comparándolos con la 2ª aproximación, por eso se utilizaría la 2ª aproximación.

Regiones de trabajo del transistor

Activa: Amplificadores y demás CircuitosLineales
Corte y Saturación: Conmutación (Corte abierto y Saturación cerrado).
La regio de ruptura no se usa pues son niveles que pueden llegar a dañar el transistor.

BIBLIOGRAFÍA
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