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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO FACULTAD DE INGENIERÍA

MEDELLÍN SERAFÍN ÁNGEL EDUARDO

EJERCICIO DE FÍSICADE SEMICONDUCTORES EFECTO FOTOELÉCTRICO
1) Mediciones del efecto fotoeléctrico realizadas conla superficie de un metal particular, indican que para la luz de 313 nm de longitud de onda, el voltaje de extinción es de 0.95 V. Determine la función de trabajo del metal
Datos:

 = 313------- >  = 313
= 0.95




Modelos matemáticos




(Hz)

----->
----> 1.52x(J)

De se despeja :

Sustituyendo el valor de = 1.52x(J) y se tiene que:
=9.584x - 2.296x
= 7.288x(Hz)



2) Si la función de trabajo del potasio es de 2.24 eV, calcule la rapidez máxima de los fotoelectrones que se desprenden de su superficie limpia, cuando éstase ilumina con luz de 546 nm.
Datos:

 = 546 ------- >  = 546


2.24 (eV)

Modelos matemáticos


(Hz)



Como 1 eV= 1.6x (J) -------> 2.24eV = 3.584x (J)Despejando “v ” de y sustituyendo resulta:
----> = 887.03

3) Cuando una superficie limpia de cobre se irradia con una radiación ultravioleta de254 nm, el voltaje de extinción es de 0.181 V. Determine :
a) La frecuencia de umbral para el efecto fotoeléctrico en esta superficie, y la longitud de onda correspondiente.
b) La función detrabajo de la superficie.
Datos:

 = 254 ------- >  = 254
= 0.181



= ?

Modelos matemáticos




(Hz)

----> 2.896x(J)
----->
De se despeja :Sustituyendo el valor de = 2.896x(J) y en se tiene que:
= 1.181 x - 4.375x
= 1.137 x (Hz)
Para determinar la longitud de onda correspondiente de
-----> ---->





4) ¿Qué...