Bjt Transistores

PARTE 1.1. Modelo re Emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aquélla donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. Son conocidos como controladores de corriente

Parámetros hOtro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos más exactos. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para elmodo emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los valores específicos de:         x = 'e' debido a que es una configuración emisor común. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic) Vin = Tensión Base-Emisor (VBE) Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE)

Y los parámetros h están dados por:  hix = hie -La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re).  hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera cero).  hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia decorriente continua (βDC) in en las hojas de datos.  hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

Parte 1.2 1.2.Configuración en Base Común Cuando la señal de entrada se aplica por el emisor del transistor y la señal desalida se toma del Colector, se tiene una configuración enBase Común, la cualse utiliza para amplificar voltaje. El diagrama circuital de esta configuración es

Configuración emisor común Cuando la señal de entrada se aplica por la base del transistor y la señal desalida se toma del Colector, se tiene una configuración en Emisor Común, la cual se caracteriza por ser el amplificador por excelencia debido a que amplifica voltaje como corriente. El diagramacircuital de esta configuración es:

Configuración colector común
Cuando la señal de entrada se aplica por la base del transistor y la señal de salida se toma del Emisor, se tiene una configuración en Colector Común, la cual se caracteriza por ser presentar una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, por lo que se usa como adaptador de impedancias y como amplificador decorriente. El diagrama circuital de esta configuración es

Parte 1.3
Configuración de gate Esta será una aplicación mas del FET y es la de compuerta común, este circuito posee una baja impedancia de entrada, impedancia de salida similar a la de fuente común y una ganancia no invertida con la misma magnitud que la de fuente común. circuito amplificador Compuerta Común:

Configuracón drenajecomún
Una segunda configuración del FET es el circuito de Drenaje común llamado también Fuente seguidor este circuito proporciona una ganancia de voltaje menor que 1 sin inversión de polaridad. Además el circuito proporciona una impedancia muy alta y una baja impedancia de salida.

Configuración de source común La fuente común, amplificador puede ser visto como un amplificador de transconductanciao como un amplificador de tensión. Como un amplificador de transconductancia, la tensión de entrada se considera como la modulación de la corriente que va a la carga. Como un amplificador de tensión, la tensión de entrada modula la cantidad de corriente que fluye a través del FET, el cambio de la tensión a través de la resistencia de salida de acuerdo con la ley de Ohm.

Parte 2 análisis de...