Transistor BJT

TRANSISTOR JFTE
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador ySource. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye.

El JFET está constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A
Los terminales del canal N son denominados “SURTIDOR” (SOURCE) y “DRENADOR” (DRAIN). El anillo forma eltercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula únicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.
También se construyen JFET’s con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N, denominándose “JFET canal P”.
El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debesobrepasar el voltaje de ruptura (típicamente 50V) porque destruiría el dispositivo.
Si se aplica polarización directa a la compuerta, circulará una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta.







Es un dispositivo electrónico
Es un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dandounos valores de salida
Al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.


Físicamente,un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que elpaso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose lacorriente para tensiones menores que Vp.

POLARIZACION FIJA


Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda medir ID y VGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS así también VDS. De ser posible cambie el transistor con otra mesa y anote las nuevas medidas.
Los resultados se muestran en la siguiente tabla:
 
MAGNITUD
VALOR MEDIDO
VALORCALCULADO
VDS
5.8V
6.13V
VGS
-0.7V
-0.7V
VGD
6.2V
6.83V
IS
2mA
1.93mA
ID
1.8mA
1.93mA
IG
0mA
0mA
 
 
 
 
VALORES TEORICOS CALCULADOS
Sabemos que IG = 0, además:
 
 
 

Tenemos además que ID = IS
VDS = 10V – (RD)(ID)
VDS = 10V – (2K)(1.93mA)
VDS = 6.13 V
VGS = -VGG = -0.7V
VGD = VD – VG = 6.13V – (-0.7V) = 6.83V
 











AUTOPOLARIZACION
Arme el circuitomostrado. Conecte adecuadamente los instrumentos para medir ID y VGS, encienda las fuente y anote los valores de ID, VGS y las demás tensiones del circuito.
Todo circuito debe ser armado con las fuentes apagados previamente ajustadas al valor dado en el diagrama.
 

 
Los resultados se muestran en la siguiente tabla:
 
MAGNITUD
VALOR MEDIDO
VALOR CALCULADO
VDS
5 V
5.23 V
VGS
-0.6 V...