Transistor bjt
Páginas: 4 (769 palabras)
Publicado: 21 de marzo de 2012
EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT
TRANSISTOR BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido
de tres terminales, núcleo decircuitos de conmutación y procesado de señal.
• El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en
electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejarpotencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles).
• Los
transistores son altamente no lineales.
dispositivos
activos
con
características TRANSISTOR BJT
CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
• Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN
unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector) • En función de la situación delas uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. • La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base- Colector en inversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corrienteinversa.
TRANSISTOR BJT
TRANSISTOR BIPOLAR NPN • En NPN, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, loselectrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).
• El emisor emite portadores decarga hacia • • • •
el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. Unión emisor: es la unión pn entre labase y el emisor. Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
TRANSISTOR BJT
•
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TRANSISTOR BIPOLAR PNP El BJT PNP está formado también por un cristal semiconductor con tresregiones definidas por el tipo de impurezas. Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del NPN. Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN. Por lo demás, este dispositivo es...
TRANSISTOR BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido
de tres terminales, núcleo decircuitos de conmutación y procesado de señal.
• El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en
electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejarpotencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles).
• Los
transistores son altamente no lineales.
dispositivos
activos
con
características TRANSISTOR BJT
CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
• Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN
unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector) • En función de la situación delas uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. • La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base- Colector en inversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corrienteinversa.
TRANSISTOR BJT
TRANSISTOR BIPOLAR NPN • En NPN, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, loselectrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas).
• El emisor emite portadores decarga hacia • • • •
el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. Unión emisor: es la unión pn entre labase y el emisor. Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
TRANSISTOR BJT
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TRANSISTOR BIPOLAR PNP El BJT PNP está formado también por un cristal semiconductor con tresregiones definidas por el tipo de impurezas. Las tensiones de continua aplicadas son opuestas a las del NPN. Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN. Por lo demás, este dispositivo es...
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