Capacitancia de miller

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Capacitancia de efecto Miller En altas frecuencias, los elementos de interés para la ubicación de f2 son las capacitancias parásitas que se presentan entre las terminales internas del transistor.Estas capacitancias se encuentran entre las terminales de entrada y salida de un amplificador como se muestra en la figura 1.6. El análisis de esta red se vuelve muy complejo al tener capacitoresque afectan tanto la salida como la entrada.
Para facilitar el análisis la red de la figura 1.6, y encontrar los efectos que este capacitor tiene sobre la frecuencia, utilizaremos el método que seconoce como Teorema de Miller. Este método indica que el circuito mostrado en la figura 1.6 puede ser remplazado por el circuito equivalente de la figura 1.7. Esto significa que el capacitor entreterminales de salida y entrada de un amplificador puede ser remplazado por dos capacitores, uno en la entrada y otro en la salida. La capacitancia de Miller de entrada y salida es

Figura 1.6Amplificador con capacitor entre sus terminales de entradas y salida | Figura 1.7 Equivalente de Miller de la figura 1.6 |

Una vez más, un circuito RC como el de la figura1.2 determinará la frecuencia decorte en altas frecuencias. La frecuencia de corte superior se puede determinar a partir de un circuito RC en serie con fuente.

Análisis BJT en altas frecuencias A frecuencias altas, los capacitoresde acoplamiento y desvío tienen impedancias muy bajas debido a que sus valores son grandes, y puede suponerse que están en cortocircuito. Las capacitancias que ahora causan la reducción de voltajeson las capacitancias parásitas del transistor y de cableado. La figura 1.14 muestra el modelo de frecuencia alta para el amplificador BJT de la figura 1.7 con las capacitancias parásitas (Cbe, Cbc,Cce) del transistor y de cableado (CW1, CW2).


Figura 1.14 Amplificador BJT en configuración por divisor de voltaje con carga junto con los capacitores que afectan la respuesta en alta...
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