Caracterizacion Mosfet

CARACTERIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES
MOSFET TIPO N Y P
LABORATIRIO 5
Objetivos
* Comprender y analizar el funcionamiento de los transistores MOSFET.
* Analizar la corriente de lostransistores MOSFET.
* Analizar las zonas de trabajo de los transistores MOSFET.
* Comprender la caracterización de un transistor MOSFET.

El voltaje de umbral para el MOSFET, se halla por medio dela toma de 2 corrientes ID respectivos a 2 VGS diferentes. Para ello se utiliza con el montaje y la ecuacion a continuacion.

ID1ID2=(VGS1-VTH)2(VGS2-VTH)2
Para obtener VTH se despeja de laecuacion anterior.
ID1ID2=VGS12-2VTHVGS1+VTH2VGS22-2VTHVGS2+VTH2 ⇒ID1VGS22-2VTHVGS2+VTH2=ID2VGS12-2VTHVGS1+VTH2
⇒VTH2ID1-ID2-2VTH(VGS1ID2-VGS2ID1)+(VGS22ID1-VGS12ID2)=0
;a= ID1-ID2b=2(VGS1ID2-VGS2ID1) c=VGS22ID1-VGS12ID2

⇒VTH1=-b+b2-4ac2a ; VTH2=-b-b2-4ac2a
Se debe utilizar el VTH hallado anteriormente, y un promedio de las corrientes ID medidasexperimentalmente al iguals que el VGS, de tal modo que se obtenga.
KN'*WL=2ID-PROMVGS-PROM-VTH2 ; ID-PROM=ID1+ID22 ; VGS-PROM=VGS1+VGS22

Ahora para calcular λ, se fija un valor de VGS y se varia elvalor de VD para obtener valores de VDS. Para ello se usa la siguiente configuracion y ecuacion.

ID1ID2=1+λVDS11+λVDS2
⇒ID1+λVDS2ID1=ID2+λVDS1ID2 ⇒ID1-ID2=λVDS1ID2-λVDS2ID1⇒ID1-ID2=λ(VDS1ID2-VDS2ID1) ⇒λ=ID1-ID2VDS1ID2-VDS2ID1

Para la caracterizacion del MOSFET tipo p se utiliza el siguiente montaje para hallar los datos que se necesitan.

El VTH se calcula con laformula
VTH2ID1-ID2-2VTH(VGS1ID2-VGS2ID1)+(VGS22ID1-VGS12ID2)=0
;a= ID1-ID2 b=2(VGS1ID2-VGS2ID1) c=VGS22ID1-VGS12ID2

⇒VTH1=-b+b2-4ac2a ; VTH2=-b-b2-4ac2a
yhallando VGS.
Y para hallar λ se usa el circuito y la formula a continuacion.

Variando VS y buscando VSG se halla λ
λ=ID1-ID2VDS1ID2-VDS2ID1

La configuracion interna del circuito integrado CD4007...