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Estructura Cristalina Germanio y Silicio :

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores permiten elpaso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñascantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". 

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en suúltima órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio seconvierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.


En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industriaelectrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de losmateriales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como unespejo.












A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de.silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricación de transistoresy circuitos.integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de.minúsculos dados o “chips”, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los.que después de pasarpor un proceso tecnológico apropiado se convertirán en.transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en.transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la...