Circuito integrados digitales

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CIRCUITO INTEGRADOS DIGITALES

Ing. Wilmer Naranjo

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CARACTERISTICAS BÁSICAS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES
Son una colección de resistores, diodos y transistores fabricados sobre una pieza de material semiconductor (generalmente silicio) denominado sustrato y que comúnmente recibe el nombre de circuito integrado (CI). El CI se encuentra dentro de un encapsulado plástico o decerámica con terminales que permiten conectarlo con otro dispositivo.

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ENCAPSULADOS DE LOS CI
Éstos difieren en la cantidad de circuitería que contiene el sustrato de silicio. El número de conexiones externas que se hacen con el sustrato. Las condiciones del medio ambiente. El método empleado para montar el encapsulado sobre el sustrato del circuito.
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TIPOS DE ENCAPSULADO
Los tipos de encapsulado más comunes son: Encapsulado de doble línea (DIP, siglas de dual-in-line-package) Encapsulado plano de cerámica. Encapsulado para montaje de superficie.
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Encapsulado de doble línea (DIP)
Formado por dos hileras de terminales. Las terminales están numeradas en sentido opuesto al avance de las manecillas del relojcuando se ven por arriba, en relación con una muesca o punto que se encuentra en uno de los extremos del encapsulado y que sirve como identificación. Se emplean encapsulados con 16, 20, 24, 28, 40 y 64 terminales. Algunos DIP tienen muescas en ambos extremos. En éstos casos la ubicación de la terminal número 1 está señalada por un pequeño punto.
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DIBUJO DE UN DIP
ENCAPSULADODIP

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ENCAPSULADO PLANO DE CERÁMICA
Esta hecho de una base no conductora. Inmune a los efectos de la humedad. Aplicaciones de tipo militar. Condiciones ambientales extremas.

ENCAPSULADO PARA MONTAJE DE SUPERFICIE
Sus terminales están dobladas en un ángulo recto. Más pequeños que los DIP. Las terminales son más pequeñas y menos rígidas.
Ing. Wilmer Naranjo 7 CLASIFICACIÓN DE ACUERDO CON LA COMPLEJIDAD
Se estima por el número de compuertas lógicas equivalentes sobre el sustrato. En la actualidad existen 6 niveles estándar de complejidad.

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CLASIFICACIÓN DE ACUERDO CON LA COMPLEJIDAD
COMPLEJIDAD Integración en pequeña escala (SSI) Integración en mediana escala (MSI) Integración en gran escala (LSI) Integración en muyalta escala (VLSI) Integración en ultra escala (ULSI) Integración en giga gran escala (GLSI) # DE TRANSISTORES 10 a 100 100 a 1000 1000 a 10000 10000 a 100000 100000 a 1000000 Mayor a 10000000
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Nº DE COMPUERTAS 1 a 10 10 a 100 100 a 1000 1000 a 10000 10000 a 100000 Mayor a 1000000
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Clasificación de acuerdo con el tipo principal de componentes electrónicos utilizados en sucircuitería.
Se clasifica en: Circuitos Integrados Bipolares Circuitos Integrados Unipolares

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Circuitos Integrados Bipolares
Son aquellos que están fabricados con transistores bipolares de unión (NPN y PNP) como su principal componente de circuito. Ej: La familia lógica TTL y ECL

Circuitos Integrados Unipolares
Son los que emplean transistores unipolares deefecto de campo (MOSFET de canal N ó P) como elemento principal. Ej: la familia lógica PMOS, NMOS y CMOS.
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PARÁMETROS DE VOLTAJE
VIH(min),Voltaje de entrada de nivel alto: Nivel de voltaje que se requiere para un 1 lógico en una entrada. Cualquier voltaje debajo de éste nivel no será aceptado como ALTO por el circuito lógico. VIL(max),Voltaje de entrada de nivel bajo:Nivel de voltaje que se requiere para un 0 lógico en una entrada. Cualquier voltaje sobre éste nivel no será aceptado como BAJO por el circuito lógico. VOH(min),Voltaje de salida de nivel alto: Nivel de voltaje en la salida de un circuito lógico en el estado 1 lógico. Por lo general se especifica el valor mínimo de VOH. VOL(max),Voltaje de salida de nivel bajo: Nivel de voltaje en la salida de un...
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