Circuitos

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
PRÁCTICA 1. CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO DE SI Y COMPUERTAS LÓGICAS
OBJETIVO: TRAZAR LA CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO DE SI E IMPLEMENTAR COMPUERTAS AND Y ORCON DIODOS.
INTEGRANTES: Christian Chasi
Jaime Changoluisa
Luis Barreno
MATERIALES:
Una fuente variable de DC
Un amperímetro
Un voltímetro
Una resistenciade 1Kohm, ½ watt (traer)
2 Diodos 1N4001 o /1N4007 (TRAER IGUALES)
Cables para conexión en el tablero o protoboard (traer)
TRABAJO PREPARATORIO:
1. Consulte las características técnicas(datasheet) del diodo 1N4007 en cuanto a:
Caída de voltaje en polarización directa (valores mínimo y máximo)
Máxima corriente en polarización directa no repetitiva
Corriente rectificada promedio
Máximadisipación de potencia
Corriente inversa
Tiempo de recuperación (trr)



2. Indique, que representa cada característica del diodo consultado

3. Simule en Multisim(u otro) el circuito de lafigura 1, para un diodo virtual y anote los valores de voltajes y corrientes del diodo para los siguientes valores del voltaje de entrada (vi).

Fig.1 : Circuito para trazar la curva del diodo idealTabla : Datos de voltajes y corrientes medidos en el diodo, empleando multisim u otro simulador
V diodo
(Vo) [V]
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Ventrada
(Vi) [V]
 0V
1V 
2V
3V 
4V5V
6V 
7V
8V
10V
15V
20V
ID [mA]
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 



4. Obtener por simulación la tabla de verdad de los siguientes circuitos, asumiendo que los diodos son virtuales.Fig.2. a) Compuerta OR con diodos b) Compuerta AND con diodos


Tabla 2: Compuerta OR
A
B
Vo
0V
0V

0V
5V

5V
0V

5V
5V


Tabla 3: Compuerta AND
A
B
Vo
0V
0V

0V
5V

5V0V

5V
5V



WEBGRAFÍA EMPLEADA:

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PROCEDIMIENTO:
1. Verificar el correcto estado de...