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FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA
ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL
DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
CURSO: LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA
CONVERTIDORESCD-CD EXPERIENCIA N0 4
I.- OBJETIVO:
1) Familiarizarse con los transistores de potencia BJT, MOSFET, IGBT
2) Implementar circuitos dedisparo y protección para los transistores.
3) Analizar los convertidores CD-CD las 3 topologías básicas (reductor (BUCK), elevador (BOOST) y reductor-elevador (BUCK_BOOST)), implementar un convertidorreductor (Buck) y un convertidor elevador (boost)
II.- MATERIALES Y EQUIPO:
1) Un mosfet IRF540 (NPN)
4) Diodo de conmutación rápida Shocking:
5) Resistencia de carga 20ohms.
Resistencia de carga 50 ohms
Resistencia de carga 70 ohms
6) Bobina de acuerdo al diseño
7) Capacitores de acuerdo al diseño
8) Fuente de continua o bateria 12 voltios.10) implementar un PWM para disparo del mosfet
11) driver IR2102
11) Equipos del laboratorio
III.- INTRODUCCION:
Estudiaremos los dispositivos de potencia trabajando comodispositivos de conmutación.
Los BJT son dispositivos controlados por corriente, son sus parámetros sensibles a la temperatura de la unión. Los BJT sufren por ruptura secundaria por lo que para reducir eltiempo de almacenamiento durante la desactivación requieren de corrientes inversas de base. Pero tiene un voltaje bajo de estado activo y de saturación.
Los MOSFET son controlados por voltaje,requieren muy poca potencia en la puerta, sus parámetros son menos sensibles a la temperatura de unión. No tiene problema de ruptura secundaria y no necesita voltaje de compuerta negativo. Incluso sepuede activar directamente desde circuitos integrados CMOS. Permite sistemas robustos, no puede ser protegido contra sobre intensidades por medio de fusibles como en el caso de los tiristores, su...
ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL
DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
CURSO: LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA
CONVERTIDORESCD-CD EXPERIENCIA N0 4
I.- OBJETIVO:
1) Familiarizarse con los transistores de potencia BJT, MOSFET, IGBT
2) Implementar circuitos dedisparo y protección para los transistores.
3) Analizar los convertidores CD-CD las 3 topologías básicas (reductor (BUCK), elevador (BOOST) y reductor-elevador (BUCK_BOOST)), implementar un convertidorreductor (Buck) y un convertidor elevador (boost)
II.- MATERIALES Y EQUIPO:
1) Un mosfet IRF540 (NPN)
4) Diodo de conmutación rápida Shocking:
5) Resistencia de carga 20ohms.
Resistencia de carga 50 ohms
Resistencia de carga 70 ohms
6) Bobina de acuerdo al diseño
7) Capacitores de acuerdo al diseño
8) Fuente de continua o bateria 12 voltios.10) implementar un PWM para disparo del mosfet
11) driver IR2102
11) Equipos del laboratorio
III.- INTRODUCCION:
Estudiaremos los dispositivos de potencia trabajando comodispositivos de conmutación.
Los BJT son dispositivos controlados por corriente, son sus parámetros sensibles a la temperatura de la unión. Los BJT sufren por ruptura secundaria por lo que para reducir eltiempo de almacenamiento durante la desactivación requieren de corrientes inversas de base. Pero tiene un voltaje bajo de estado activo y de saturación.
Los MOSFET son controlados por voltaje,requieren muy poca potencia en la puerta, sus parámetros son menos sensibles a la temperatura de unión. No tiene problema de ruptura secundaria y no necesita voltaje de compuerta negativo. Incluso sepuede activar directamente desde circuitos integrados CMOS. Permite sistemas robustos, no puede ser protegido contra sobre intensidades por medio de fusibles como en el caso de los tiristores, su...
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