Cuadro Comparativo Electronica de Potencia

























ÍNDICE
INTRODUCCIÓN 1
CUADRO COMPARATIVO DE LOS TIRISTORES 2
CONTINUACIÓN DEL CUADRO 3
COMPARACIÓN DE TRANSISTORES DE POTENCIA 4
CONCLUSIONES 5
REFERENCIAS 6


INTRODUCCIÓN

La Electrónica de Potencia es una rama de la ingeniería eléctrica (disciplina que estudia la técnica de producción, transporte, tratamiento,transformación y consumo de la energía eléctrica) la cual utiliza dispositivos electrónicos (diodos, TRIAC’s, transistores bipolares, MOSFET’s, IGBT´s, etc.) para desarrollar equipos o materiales que aseguran la transformación de la forma de la amplitud y/o frecuencia de las formas de onda que transportan la energía eléctrica.

Este trabajo consiste en la elaboración de un cuadro comparativo deelectrónica de potencia, sobre las características de la familia de tiristores y transistores de potencia.

El propósito de este cuadro comparativo es diferenciar y comparar las características de los diferentes tipos de tiristores y transistores que existen, tales como el SCR, GTO, SITH, MOSFET, BJT entre otros. Esto con la finalidad de aprendernos dichas características, y saber elegir el tiristoradecuado para alguna práctica o uso de este.

Se realiza con la intención de estudiar las diferentes características de dichos elementos tiristores, en cuanto al voltaje, corriente, velocidad de conmutación, etc. Este trabajo ayudara a muchos estudiantes a entender la importancia de los diferentes tipos de tiristores, así con esta comparación será más práctico diferenciar un tiristor de otro.El trabajo fue hecho en el Instituto Tecnológico de Tuxtepec, y está organizado de tal manera que el lector pueda comprender su redacción sin ningún problema. Se mencionaran algunas de las características más importantes de los dispositivos electrónicos, ventajas y desventajas, como trabajan, entre otras.
CUADRO COMPARATIVO DE LOS TIRISTORES

SCR
SCR DE CONMUTACIÓN RÁPIDA
GTO
TRIACDescripción
Dispositivo de cuatro capas pnpn con tres uniones. Este tiene tres terminales: ánodo, cátodo, y compuerta
Se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta velocidad con conmutación forzada.
Dispositivo de enganche y se puede construir con especificaciones de corriente y voltaje similares a las de un SCR.
Tiristores de triodo bidireccional
Forma de activarlo
Mediante un pulso + cortoa través de la compuerta y el cátodo.
Mediante un pulso + corto a través de la compuerta y el cátodo.
Mediante un pulso + corto a través de la compuerta y el cátodo.
Mediante un pulso positivo o negativo en la compuerta.
Ventajas
Puede trabajar con valores de corriente y voltaje muy altos.
Puede apagarse reduciendo la corriente de carga por debajo de la de mantenimiento.
Tienen un tiempocorto de desactivación, por lo general de 5 a 50 μs dependiendo del rango de voltaje.
Se puede desactivar con un pulso negativo.
Desactivación más rápida.


Puede conducir en ambas direcciones
Desventajas
Cuando este se activa no se puede desactivar, solo si se aplica un voltaje inverso a través del ánodo y cátodo.
No pueden operar a altas frecuencias.
Pueden dispararse por ruidos detensión.
La corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar más dimensionado.
Larga cola de corriente al apagar.
Control de potencia muy reducida.
Voltaje soportado
7000 V
2200 a 1800 V
4800 V
1000 V
Corriente soportada
4500 A
1000 A
3000 A
25 A
CONTINUACIÓN DEL CUADRO
LASCR
RTC
SITH
Controlados por FET (FET-CTH)
Controlados por MOS(MCT)Rectificador controlado de silicio activado por luz
Puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, también se conoce como tiristor asimétrico (ASCR).
Tiristor de inducción estática
Combina un MOSFET y un tiristor en paralelo
Combina las características de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS.
Mediante radiación directa sobre el disco de...