Cuadro De Transistores

TIPOS DE TRANSISTORES
TRANSISTORES | TIPOS | SIMBOLO | CONSTRUCCION | CURVA CARACTERISTICA | USOS |
BIPOLAR | NPNPNP | | | | Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con laregión del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuandouna tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo alos electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región debaja concentración cercana al colector.  |
FET | Canal PCanal N | P N | | | *Uso general, equipo de medida, receptores, Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones, Receptores de FM yTV, equipos para comunicaciones. Receptores, generadores de señales. Instrumentos de medición, equipos de prueba, Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección. Amplificadoresoperacionales, órganos electrónicos, controlas de tono. Audífonos para sordera, transductores inductivos. Generadores de frecuencia patrón, receptores. Integración en gran escala, computadores, memorias. |UJT | Canal NCanal P | N P | | | *como oscilador, en circuitos de disparo, generadores de diente de sierra, control de fase circuitos temporizadores, redes biestables, y alimentaciones regulasde voltaje o corriente. |
MOSFET | Tipo nMOS de canal nTipo pMOS: de canal p | | | | *Resistencia controlada por tensión.*Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET,etc).*Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta. |
IGBT | | | | | El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT....