Defectos puntuales

Defectos Puntuales: de 0 dimensiones, afectan a un punto de red, perturbando únicamente a los vecinos más próximos:
Vacante
Constituye el defecto puntual más simple. Es un hueco creado por laperdida de un átomo
que se encontraba en esa posición. Puede producirse durante la solidificación por
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales. También puede producirse
porreordenamientos atómicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad
de los átomos.

El número de vacantes en equilibrio N para una cantidad dada de material, se incrementa
con latemperatura de acuerdo a la ecuación:

Nv=N-Q/KT

Donde Nv es el número de vacantes por metro cúbico
N es el número de puntos en la red por metro cúbico
Q es la energía requerida paraproducir una vacancia (J/átomo)
T es la temperatura en K
K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23 J/átomoK) ó 8.62 x 10-5 eV/átomoK

Son las imperfecciones más comunes en loscristales. Se dan hasta una por cada 10000
átomos.

Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que forman
divacantes o trivacantes.

Las vacantes puedentrasladarse cambiando su posición con sus vecinos. Este proceso es importante en la migración o difusión de los átomos en el estado sólido, sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los átomoses mayor.

Intersticial.
Algunas veces, un átomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posición que normalmente no está ocupada formando un defecto llamado “Defectointersticial”. Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el átomo es sustancialmente más grande que la posición intersticial en la quese sitúa. Consecuentemente la formación de este defecto no es muy probable. Se pueden introducir en una estructura por radiación.

Sustitucional.
En este defecto se sustituye un átomo de la...