Diodo Pin
Páginas: 2 (348 palabras)
Publicado: 6 de octubre de 2012
El diodo que tiene la región poco contaminada y casi intrínseca entre las regiones de p y n se
llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrínseco entre las capas p y n. Debido a
suconstrucción, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicación en
frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyección de portadores minoritarios
aumenta laconductividad de la región intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la región i
se vacía totalmente de portadores y la intensidad del campo a través de la región es
constante.
DESCUBRIMIENTO DELDIODO PIN.
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequeña
superficie radiante, idónea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los
fotodetectores, losdiodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecían buenas características. Sin embargo, no podían aplicarse en longitud
de onda > 1100 nm. El Ge era unbuen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y
1600 nm, y ya en 1966 se disponía de ellos con elevadas prestaciones eléctricas. Sin
embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge eselevada y da motivo a ensayos con
fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer PIN
de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.
SIGNIFICADODEL NOMBRE DEL DIODO PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que danombre al
diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P
de alta resistividad (π) o bien por una capa N de alta resistividad (ν).
El diodo PIN es undiodo que presenta una región p y n altamente conductoras junto a una
zona intrínseca poco conductiva. De ahí viene el significado de sus siglas PIN.
Zona tipo P. “P”
...
llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrínseco entre las capas p y n. Debido a
suconstrucción, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicación en
frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyección de portadores minoritarios
aumenta laconductividad de la región intrínseca. Cuando se polariza en inverso, la región i
se vacía totalmente de portadores y la intensidad del campo a través de la región es
constante.
DESCUBRIMIENTO DELDIODO PIN.
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequeña
superficie radiante, idónea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los
fotodetectores, losdiodos PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin
dificultades y ofrecían buenas características. Sin embargo, no podían aplicarse en longitud
de onda > 1100 nm. El Ge era unbuen candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y
1600 nm, y ya en 1966 se disponía de ellos con elevadas prestaciones eléctricas. Sin
embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge eselevada y da motivo a ensayos con
fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y galio). El primer PIN
de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.
SIGNIFICADODEL NOMBRE DEL DIODO PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que danombre al
diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P
de alta resistividad (π) o bien por una capa N de alta resistividad (ν).
El diodo PIN es undiodo que presenta una región p y n altamente conductoras junto a una
zona intrínseca poco conductiva. De ahí viene el significado de sus siglas PIN.
Zona tipo P. “P”
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