diodos
Páginas: 8 (1781 palabras)
Publicado: 6 de octubre de 2013
1.- Obtención del silicio grado electrónico
Partiendo de la arena, cuarcita, o cuarzo, materiales con alto contenido en óxido de silicio y bajos contenidos en otro tipo de silicatos, ya que la limpieza de estos contaminantes encarecen la obtención del silicio.
Cuarcita
Cuarzo
La cuarcita es introducida en un clisol donde están colocados dos electrodos de carbón,cuando se hace pasar una corriente eléctrica por los electrodos se produce un arco eléctrico que puede alcanzar temperaturas de 2000º C. A estas temperaturas la cuarcita pasa a estado liquido y este fundido se extrae por la parte inferior del clisol.
Horno de silicio metalúrgico
Electrodos de carbón
En este proceso se produce una reacción química que da como resultado elllamado silicio metalúrgico, este silicio es abundantemente utilizado en la fabricación de aceros, aluminio, siliconas y otros y también para la obtención del silicio grado electrónico.
Reacción química: SiO2 + C ---- Si + 2CO
Silicio Metalúrgico
El silicio metalúrgico se introduce en un molino para así obtener un polvo de silicio.
Silicio molido
El silicio así obtenidotiene una pureza comprendida entre el 98 al 99 %, este es aceptable para aplicaciones metalúrgicas silicio grado metalúrgico (Si gm) pero no para aplicaciones electrónicas o solares donde es necesario una pureza mayor.
Para obtener el silicio grado electrónico (Si ge) el polvo de silicio se introduce en un reactor de lecho fluido mezclado con acido clorhídrico (CLH) y se calienta la mezcla a unatemperatura aproximada de 300ºC, los gases son conducidos a unas columnas de destilación fraccionada donde se separan los distintos compuestos y se obtiene un gas llamado Triclorosilano que una vez enfriado pasa a fase liquida, este liquido mezclado con Hidrogeno se introduce en el reactor Siemens donde se encuentra una varilla de silicio ultrapuro a modo de filamento que mediante el paso de unacorriente eléctrica se calienta a una temperatura aproximada de 1200ºC, el filamento se va regruesando de silicio hasta alcanzar un grosor determinado, este es el silicio grado electrónico , también llamado polisilicio.
Figura esquemática del proceso de obtención del polisilicio
Reactor de lecho fluido
Columnas de destilación
Obtención de lasvarillas filamentos
Varilla de filamento antes de doblar en u
Conjunto de reactores Siemens
Filamento de Polisilicio regruesado
Trozo de filamento regruesado
Este es el procedimiento más común para la obtención del polisilicio grado electrónico (ge) con pureza del 99,999999999 %.
Fecha: 1958
Utilidad: Se utilizan como sintonizadores en sistemas decomunicaciones, especialmente en FM
Inventor: Sanford Barnes, Sherman Oaks y John Mann, estando trabajando para Pacific Semiconductors (PSI)
http://www.ingeniaste.com
El diodo varicap fue un invento que realizaron Sanford Barnes, Sherman Oaks y John Mann en 1958 trabajando para Pacific Semiconductors (PSI) en California. Ya se conocían los fenómenos físicos que permitían aprovechar los cambios decapacidad eléctrica en función de la tensión aplicada a un diodo, pero el primer trabajo en conseguir un método estable de fabricación y repetividad en los dispositivos fue el creado por Sanford Barners, Sherman Oaks y Jhon Mann.
La utilización más solicitada para este tipo de diodos es la de sustituir los sistemas mecánicos de capacitador variable en etapas de sintonia en todo tipo de equipos deemisión y recepción,como pude ser en la sintonia de televisión, modulación de frecuencia en transmisión de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje.
En la tecnologia de micoroondas se utilizan como limitadores, al aumentar la tensión en el diodo, su capacidad varía modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
El diodo...
1.- Obtención del silicio grado electrónico
Partiendo de la arena, cuarcita, o cuarzo, materiales con alto contenido en óxido de silicio y bajos contenidos en otro tipo de silicatos, ya que la limpieza de estos contaminantes encarecen la obtención del silicio.
Cuarcita
Cuarzo
La cuarcita es introducida en un clisol donde están colocados dos electrodos de carbón,cuando se hace pasar una corriente eléctrica por los electrodos se produce un arco eléctrico que puede alcanzar temperaturas de 2000º C. A estas temperaturas la cuarcita pasa a estado liquido y este fundido se extrae por la parte inferior del clisol.
Horno de silicio metalúrgico
Electrodos de carbón
En este proceso se produce una reacción química que da como resultado elllamado silicio metalúrgico, este silicio es abundantemente utilizado en la fabricación de aceros, aluminio, siliconas y otros y también para la obtención del silicio grado electrónico.
Reacción química: SiO2 + C ---- Si + 2CO
Silicio Metalúrgico
El silicio metalúrgico se introduce en un molino para así obtener un polvo de silicio.
Silicio molido
El silicio así obtenidotiene una pureza comprendida entre el 98 al 99 %, este es aceptable para aplicaciones metalúrgicas silicio grado metalúrgico (Si gm) pero no para aplicaciones electrónicas o solares donde es necesario una pureza mayor.
Para obtener el silicio grado electrónico (Si ge) el polvo de silicio se introduce en un reactor de lecho fluido mezclado con acido clorhídrico (CLH) y se calienta la mezcla a unatemperatura aproximada de 300ºC, los gases son conducidos a unas columnas de destilación fraccionada donde se separan los distintos compuestos y se obtiene un gas llamado Triclorosilano que una vez enfriado pasa a fase liquida, este liquido mezclado con Hidrogeno se introduce en el reactor Siemens donde se encuentra una varilla de silicio ultrapuro a modo de filamento que mediante el paso de unacorriente eléctrica se calienta a una temperatura aproximada de 1200ºC, el filamento se va regruesando de silicio hasta alcanzar un grosor determinado, este es el silicio grado electrónico , también llamado polisilicio.
Figura esquemática del proceso de obtención del polisilicio
Reactor de lecho fluido
Columnas de destilación
Obtención de lasvarillas filamentos
Varilla de filamento antes de doblar en u
Conjunto de reactores Siemens
Filamento de Polisilicio regruesado
Trozo de filamento regruesado
Este es el procedimiento más común para la obtención del polisilicio grado electrónico (ge) con pureza del 99,999999999 %.
Fecha: 1958
Utilidad: Se utilizan como sintonizadores en sistemas decomunicaciones, especialmente en FM
Inventor: Sanford Barnes, Sherman Oaks y John Mann, estando trabajando para Pacific Semiconductors (PSI)
http://www.ingeniaste.com
El diodo varicap fue un invento que realizaron Sanford Barnes, Sherman Oaks y John Mann en 1958 trabajando para Pacific Semiconductors (PSI) en California. Ya se conocían los fenómenos físicos que permitían aprovechar los cambios decapacidad eléctrica en función de la tensión aplicada a un diodo, pero el primer trabajo en conseguir un método estable de fabricación y repetividad en los dispositivos fue el creado por Sanford Barners, Sherman Oaks y Jhon Mann.
La utilización más solicitada para este tipo de diodos es la de sustituir los sistemas mecánicos de capacitador variable en etapas de sintonia en todo tipo de equipos deemisión y recepción,como pude ser en la sintonia de televisión, modulación de frecuencia en transmisión de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje.
En la tecnologia de micoroondas se utilizan como limitadores, al aumentar la tensión en el diodo, su capacidad varía modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
El diodo...
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