Dopaje

Informacion para Abstract

Dopaje (semiconductores)

Para otros usos de este término, véase Dopaje (desambiguación).
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al procesointencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo desemiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como unconductor que como un semiconductor, esllamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número deátomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice queel dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
Contenido
[ocultar]
• 1 Elementos dopantes
o 1.1Semiconductores de Grupo IV
• 2 Tipos de materiales dopantes
o 2.1 Tipo N
o 2.2 Tipo P
• 3 Dopaje en conductores orgánicos
• 4 Historia
• 5 Referencias
• 6 Véase también

[editar]Elementosdopantes
[editar]Semiconductores de Grupo IV
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro,Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar alSilicio.
[editar]Tipos de materiales dopantes
[editar]Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas quepermiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el...