Electronica analoga

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Capítulo 4 Transistor Efecto de Campo T i t Ef t d C
Electrónica Análoga (241099)
Eduardo E. Espinosa N. Ingeniero Civil Electrónico eespinosa@udec.cl

Introducción
•El transistor bipolar basa su funcionamiento de dos tipos de carga: Electrones y huecos. huecos Por este motivo se denomina bipolar En este capitulo hablaremos de otro bipolar. tipo de transistor llamado de efecto de campo(FET). p p p q p p •Este dispositivo es unipolar porque su funcionamiento depende sólo de un tipo de carga, ya sea en electrones o huecos. •Para la mayoría de las aplicaciones lineales, el dispositivo más usado es el BJT. Pero hay algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET es el más apropiado, ya que tiene alta impedancia de entrada. •Por otra parte, el FET es el dispositivo preferido paraaplicaciones en las que funciona como interruptor.

Capítulo 4 – Transistor Efecto de Campo

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• El transistor de efecto de campo (FET) (por sus siglas en inglés de Field Effect Transistor) es un dispositivo de 3 terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporción, a las de BJT. • La diferencia básica entre los dos tipos detransistores es el hecho de que el BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje.

Introducción

• De la misma manera que los BJT npn y pnp, hay FET de canal - n y canal – p. Sin embargo, es importante considerar que el BJT es un dispositivo bipolar, el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de los portadores decarga, los electrones y los huecos El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente huecos. de la conducción o bien de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p)
Capítulo 4 – Transistor Efecto de Campo 3 Electrónica Análoga

Ideas Básicas
• La figura muestra una sección de semiconductor tipo n. El extremo inferior se llama fuente (source) y el superior drenador (drain). La fuente dealimentación VDD obliga a ( ) p ( ) g los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenador. Para producir un JFET, el fabricante difunde dos áreas de semiconductor tipo p en el semiconductor tipo n, como se muestra en la figura. Estas dos áreas p están conectadas internamente para tener un solo terminal de conexión externo llamado puerta (gate).

Capítulo 4 – Transistor Efecto deCampo

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Efecto de Campo
• La figura muestra la manera normal de polarizar un JFET. La tensión de alimentación del drenador es positiva y la de la puerta negativa. El término efecto de p p g campo se relaciona con las zonas de deplexión que rodean a cada zona p. Las uniones entre cada zona p y las zonas n tienen capas de deplexión debido a que los electrones libres sedifunden desde las zonas n en las zonas p. La recombinación de los electrones libres y los huecos crea las zonas de deplexión mostradas por las áreas sombreadas sombreadas.

Capítulo 4 – Transistor Efecto de Campo

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Corriente de Puerta
• En la figura, la puerta tipo p y la fuente tipo n forman el diodo puerta-fuente. En un JFET siempre polarizamos en inversa el diodopuerta-fuente. Debido a la polarización p p p p inversa, la corriente de puerta IG es aproximadamente cero, o lo que es equivalente, un JFET tiene una resistencia de entrada casi infinita.

Capítulo 4 – Transistor Efecto de Campo

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La tensión de puerta controla la corriente de p drenador
• En la figura, los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenadordeben pasar a través del estrecho canal situado entre las dos zonas de deplexión. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta, más se expande la capa de deplexión y más estrecho será el canal de conducción En otras palabras la tensión de puerta puede conducción. palabras, controlar la corriente a través del canal. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta, menor será la corriente entre la...
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