Electronica basica
Páginas: 4 (857 palabras)
Publicado: 17 de noviembre de 2011
CURSO ELECTRONICA BASICA
Ing. Iris J. Alvarado
EL DIODO
Están formados por dos tipo de silicio
diferentes, unidos entre si, una de tipo “n” y
otra de tipo “p”. En la práctica, un diodo sefabrica a base de una única pieza de silicio,
introduciendo tipos diferentes de impurezas
por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y otros que creen tipo N.
Estructura:Símbolo:
El material tipo P recibe el nombre de ánodo.
El material tipo N recibe el nombre de cátodo
Vista interna de un diodo:
Existe una relación exponencial entre la corriente del diodoy el potencial aplicado. La relación se describe por medio de la ecuación:
iD I o exp qv d nkT 1
Donde:
iD = corriente del diodo vD = diferencia de potencial a través del diodo Io = Corriente defuga Q = carga del electrón : 1.6 x 10 -19coulombs K = ctte. De Boltzmann: 1.38 x 10 -23J/ K T = temperatura absoluta en gardos Kelvin N = ctte. Empírica entre 1 y 2
CURVA CARACTERISTICAVOLTAJE DE RUPTURA
ZONA DE
CONDUCCIÓN
ZONA DE BLOQUEO
TENSIÓN DEL DIODO
CIRCUITO EQUIVALENTE
Si el diodo está polarizado directamente, es decir la
tensión aplicada al ánodo es mayor que latensión aplicada al cátodo, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado, pequeña resistencia.
Con polarización inversa, es decir la tensión aplicada al ánodo es menos que la tensiónaplicada al cátodo. el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
1. La corriente de saturación inversa del diodo aumenta al aumentar la temperatura.
2.La tensión térmica aumenta linealmente con la temperatura. 3. Con tensión constante a través del diodo, al aumentar la temperatura aumenta la corriente a través del diodo.
4. Con corriente constantea través del diodo, la tensión del diodo disminuye al aumentar la temperatura.
DIODO ZENER
El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en particular, en la...
Ing. Iris J. Alvarado
EL DIODO
Están formados por dos tipo de silicio
diferentes, unidos entre si, una de tipo “n” y
otra de tipo “p”. En la práctica, un diodo sefabrica a base de una única pieza de silicio,
introduciendo tipos diferentes de impurezas
por los dos casos de ella, unas que creen material tipo P y otros que creen tipo N.
Estructura:Símbolo:
El material tipo P recibe el nombre de ánodo.
El material tipo N recibe el nombre de cátodo
Vista interna de un diodo:
Existe una relación exponencial entre la corriente del diodoy el potencial aplicado. La relación se describe por medio de la ecuación:
iD I o exp qv d nkT 1
Donde:
iD = corriente del diodo vD = diferencia de potencial a través del diodo Io = Corriente defuga Q = carga del electrón : 1.6 x 10 -19coulombs K = ctte. De Boltzmann: 1.38 x 10 -23J/ K T = temperatura absoluta en gardos Kelvin N = ctte. Empírica entre 1 y 2
CURVA CARACTERISTICAVOLTAJE DE RUPTURA
ZONA DE
CONDUCCIÓN
ZONA DE BLOQUEO
TENSIÓN DEL DIODO
CIRCUITO EQUIVALENTE
Si el diodo está polarizado directamente, es decir la
tensión aplicada al ánodo es mayor que latensión aplicada al cátodo, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado, pequeña resistencia.
Con polarización inversa, es decir la tensión aplicada al ánodo es menos que la tensiónaplicada al cátodo. el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
1. La corriente de saturación inversa del diodo aumenta al aumentar la temperatura.
2.La tensión térmica aumenta linealmente con la temperatura. 3. Con tensión constante a través del diodo, al aumentar la temperatura aumenta la corriente a través del diodo.
4. Con corriente constantea través del diodo, la tensión del diodo disminuye al aumentar la temperatura.
DIODO ZENER
El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en particular, en la...
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