electronica cuestionario

RESUMEN

intrinseco se dopa con Atomos trivalentes (aceptadores) tiene mais huecos que electrones .libres.

Secci6n 2-1. Conductores
Un komo de cobre neutro tiene solamente un electr6n
en su orbital exterior. Como este linico electr6n puede
desligarse fhcilmente de su itomo, se le da el nombre
de electr6n libre. El cobre es un buen conductor porque incluso la tensi6n m6s pequeiia hace que10s electrones libres fluyan de un dtomo al siguiente.

Seccidn 2-2. Semiconductores
El silicio es el material semiconductor mPs utilizado.
El Btomo de silicio aislado tiene 4 electrones en su orbital exterior o de valencia. El nlimero de electrones en
el orbital de valencia es la clave de la conductividad.
Los conductores tienen un electr6n de valencia, 10s semiconductores 4 y 10saislantes poseen 8.

Secci6n 2-3. Cristales de silicio
Cada htomo de silicio en un cristal tiene sus 4 electrones de valencia m6s cuatro electrones compartidos con
10s Atomos vecinos. A temperatura ambiente, un cristal
puro de silicio tiene s610 unos pocos electrones libres y
huecos producidos tkmicamente. El tiempo que transcurre entre la creacion y la recombinacidn de un electr6n libre con unhueco recibe el nombre de tiempo de
vida.

Secci6n 2-7. Dos tipos de semiconductores
extrinsecos
En un semiconductor tip0 n 10s electrones libres son
10s portadores rnayoritaxios y 10s huecos son 10s portadores minoritarios. En un semiconductor t i p p, por el
contrarib, 10s huecos son 10s portadores mayoritarios y
10s electrones libres son 10s portadores minoritarios.

Secci6n 2-8. El diodono polarizado
Un diodo no polarizado tiene una zona de deplexi6n en
la uni6n pn. Los iones en esta zona de deplexi6n producen una barrera de potencial. A temperatura ambiente, esta barrera de potencial es aproximadamente
de 0,7 V para un diodo de silicio y 0,3 V para un diodo.
de germanio.

Seccidn 2-9. Polarizacidn direct.
Cuando una tensi6n externa se opone a la barrera de
potencial, eldiodo est6 polarizado en directa. Si la tensi6n aplicada es mayor que la barrera de potencial, la
comente es grande. Es decir, la comente circula con
facilidad en un diodo polarizado en directa.

Seccidn 2-4. Semiconductores intrinsecos
UIi semiconductor intrinseco es un semiconductor
puro. Cuando se aplica una tensidn externa al semiconductor intn'nseco, 10s electrones libres se dirigenhacia
el terminal positivo de la bateria y 10s huecos se mueven hacia el negativo.

:

Cuando una tensi6n externa refuerza la barrera de potencial, el diodo esd polarizado en inversa. La anchura
de la zona de deplexi6n aumenta al incrementarse la
tensi6n inversa. La comente es aproximadarnente
cero.

Secci6n 2-5. Dos tipos de flujos
.

Secci6n 2-10. Polarizaci6n inversa

Seccidn 2-11.Ruptura

En un semiconductor intrinseco existen' dos t i p s de
portadores. En primer lugar esd el flujo de 10s electrones libres a travCs de las orbitales grandes (banda de
conducci6n). En segundo lugar estP el flujo de 10s huecos a travCs de orbitales mPs pequeiias (banda de valencia).

Una tensi6n inversa demasiado grande producir6 el
efecto Zener o de avalancha. Asi pues, una grancomente de ruptura destruir6 el diodo. En general, 10s
diodos no deben trabajar en la zona de ruptura. La h i ca excepcidn es el diodo Zener, un diodo de prop6sito
especifico, que se estudiarh en un capitulo posterior.

Secci6n 2-6. Dopaje de un semiconductor
El dopaje aumenta la conductividad de un semiconductor. A un semiconductor dopado se le llama semiconductor extrinseco. Cuando unsemiconductor intrinseco
se dopa con 6tomos pentavalentes (donadores) tiene
m h electrones libres que huecos. Si un semiconductor

Secci6n 2-12. Niveles de energia
Cuanto mayor es la orbital, mayor es el nivel de energia de un electr6n. Si una fuerza externa eleva un electr6n a un nivel de energia superior, el electr6n emitird
energia cuando regresa a su orbital original.

Seccihri 2-13. La...