Electronica

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multietapa.
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).
Los FET secomportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Existen varias desventajas que limitan lautilización de los FET en algunas aplicaciones:
Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.
2. Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales de FET:
FET deanto aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como launión compuerta –fuente esta polarizada en inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula.
4. Variación de la tensión compuerta a fuente en el FET
El Fet es un dispositivo controlado por tensión y se controla mediante vGS. En la figura 4.4 se muestran las curvas características iD-vDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p. Antes de analizar estas curvas, tomese nota delos simbolos para los JFET de canal n y de canal p, que también se muestran en la figura 4.4. Estos simbolos son iguales excepto por la dirección de la flecha.
Conforme se incrementa vGS (más negativo para un canal n y más positivo para un canal p) se forma la region desertica y se cierra para un valor menor que iD. Por tanto, para el JFET de canal n de la figura 4.4(a), la iD maxima se reducedesde IDSS conforme vGS se hace más negativo. Si vGS disminuye aun más (más negativo), se alcanza un valor de vGS, después del cual iD será cero sin importar el valor de vDS. Este valor de vGS se denomina VGSOFF, o tensión de estrangulamiento (VP). El valor de VP es negativo para un JFET de canal n y positivo para un JFET de canal p.
Características de transferencia del JFET
De gran valor en eldiseño con JFET es la característica de transferencia, que es una gráfica de la corriente de drenaje, iD, como función de la tensión compuerta a fuente, vGS, por encima del estrangulamiento.
Un cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensión compuerta-fuente. Esto se puede expresar como
[pic](4.2)
Se puede encontrar la transconductancia diferenciando la ecuación (4.1), lo que dacomo resultado
[pic](4.3)
La resistencia dinamica en inverso, rDS, se define como el inverso de la pendiente de la curba iD-vDS en la región de saturación:
[pic](4.7)
El desempeño de un JFET esta especificado por lo valores de gm y rDS. Estos parametros se determinan ahora para un JFET de canal n utilizando la curva caracteristica de la figura 4.7. Si las curvas caracteristicas para el FET noestan disponibles, gm y vGS se pueden obtener matematicamente, siempre que se conozcan IDSS y VP. Por lo general, estos dos parametros se incluyen enlas especificaciones del fabricante. Se puede seleccionar una corriente de drenaje estatica, IDQ, que se halle entre 0.3 y 0.7 veces IDSS, lo cual ubica el punto Q en la región más lineal de las curvas cracteristicas.
5. Operación y construcción delMOSFET
En esta sección, se considera el FET de metal –óxido semiconductorrones de la región del canal, empobreciéndolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula. Los valores positivos de vGS aumentan el tamaño del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje. Esto se indica en las curvas caracteristicas de la figura 4.9(C).
MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET de...
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