Electronica

Tecnología Microelectrónica

11 AMPLIFICADORES INTEGRADOS 11.1 AMPLIFICADOR DE PELICULA DELGADA [15] Tres versiones experimentales de amplificadores de PD son: el transistor de Película DelgadaTPD; el amplificador Metal - Interfase AMI; y el Semiconductor - Metal -Semiconductor SMS. Hay un cuarto dispositivo hecho depositando junturas pn convencionales por alguno de los métodos de vaporizaciónsobre un sustrato cerámico. El TPD de compuerta aislada es un dispositivo de Efecto de Campo, pero su compuerta de control esta separada del semiconductor por una Película Aislante en lugar de unajuntura pn polarizada en inversa figura 11.1 La compuerta se puede polarizar positiva o negativa sin que tome una corriente apreciable.

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Amplificadores Integrados Sección 11

Figura Nº11.1 Típico Transistor de PD de Compuerta Aislada Los electrodos de fuente y drenaje de Oro depositada sobre un sustrato de vidrio están separados 10 micrones. El semiconductor es una película tipo n deSulfuro de Cadmio Policristalino con espesor menor que 1/2 micrón. El aislante de Oxido de Silicio o Fluoruro de Calcio tiene un espesor menor que 1/10 de micrón y esta cubierto por la compuerta, unafaja de Oro o Aluminio de 15 micrones de ancho. -------------------------------------------------------------------------------------------------Si la compuerta es positiva la corriente entre fuentey drenaje puede incrementarse (enriquecerse) en varios ordenes de magnitud dando curvas características del tipo que se representa en la figura 11.2.

Figura Nº 11.2 Características de un TPD Enmodo de enriquecimiento gm max. = 104 µΩ-1, con una impedancia de salida de 8 KΩ ------------------------------------------------------------Se han logrado transconductancias mayores que 10.000 µ mho yproductos: ganancia x ancho de banda de 12 MHz. El modo de enriquecimiento interesa en aplicaciones de CI pues la polarización positiva de compuerta permite acoplamiento directo entre etapas...