Electronica

Tema 4.
Transistor Bipolar (BJT)

Joaquín Vaquero López

Electrónica, 2007

Joaquín Vaquero López

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Transistor Bipolar (BJT): Índice

4.1) Introducción a los elementos de 3 terminales
4.2) Transistor Bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Estructura. Efecto
transistor. Circuito simple de un transistor.

4.3) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I.Polarización.
Modelos.
4.4) Configuraciones. Emisor Común, Colector Común y Base común
4.5) Aplicaciones. Transistor real.

Electrónica, 2007

Joaquín Vaquero López

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Introducción a los elementos de 3 terminales
 Hasta ahora se han visto componentes de 2 terminales, con una curva
característica V-I. Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de
posibles curvas características V-I. Dos deellas son suficientes para definir el
componente.
 Esas dos curvas características son la curva V-I de entrada y la curva V-I
de salida. La curva característica V-I de salida es un conjunto de curvas en
función de uno de los parámetros de entrada.
Entrada

is

ie

Salida

Componente de 3
terminales
ve

Electrónica, 2007

vs

Joaquín Vaquero López

3

Introducción a loselementos de 3 terminales
Ejemplo: Transistor bipolar BJT

Curva característica V-I de entrada

Curva característica V-I de salida
Conjunto de curvas dependiendo del parámetro
de entrada Ib (Curvas paramétricas)

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Joaquín Vaquero López

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Introducción a los elementos de 3 terminales
Componentes de 3 terminales:
BJT: Fuente de corriente (salida)
controlada porcorriente (entrada).
Ganancia de corriente.

FET: Fuente de corriente (salida)
controlada por tensión (entrada).
Transconductancia (gm).

Terminales: Base, Emisor y Colector

Terminales: Puerta, Drenador y Fuente

vBC
ib

B

ig

ic

BJT

vBE

C

vCE

ie

G

id

FET

vGS

D

vDS

is
E

Electrónica, 2007

vGD

S

Joaquín Vaquero López

5Introducción a los elementos de 3 terminales
Clasificación de los componentes de 3 terminales.
npn
BJT
pnp

Canal p

Canal p

JFET
Canal n
FET

Canal n

Enriquecimiento
Canal p

MOSFET
Deplexión

Canal n

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Joaquín Vaquero López

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Transistor bipolar BJT
Estructura y símbolo del transistor. npn y pnp
Terminales: Base, Emisor y Colector. Componenteasimétrico.
C
iB

E

N

P

N

C

iC

B
E

B

iE

C
iB

E

P

N
B

Electrónica, 2007

P

C

iC

B
E

iE

Joaquín Vaquero López

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Transistor bipolar BJT
Estructura del transistor. npn

 Emisor muy dopado. Base muy fina y poco dopada.
Con la unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE > VT) los electrones (mayoritarios) alcanzan el
Colector através de la Base muy fina. La unión Base-Colector se polariza inversamente, de manera
que ayuda al movimiento de los electrones provenientes del Emisor (minoritarios en una unión p-n
polarizada en inversa).
VBE
VBC
- +

Emisor
Base

iE

iB
E

B

Colector

iC
C

iE  I EO (evBE /VT  1)
Las corrientes en el transistor:

iC    iE

n+

i E  iC  i B

pHuecos
nElectrones

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Al igual que en los diodos:

- +

iB  (1   )  iE

iC
  iE




i B (1   )  i E (1   )

iC    i B

Amplificación

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Transistor bipolar BJT
Circuito simple ideal (Emisor Común)
 Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión Base-Colector polarizada
inversamente. Fuente de corrientecontrolada por corriente.
iC
iB

RC

C

B

VCC

VBB
E

C

B
iE

VBB

iC    iB

iB

VCC

E

iC    i B

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Amplificación

Joaquín Vaquero López

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Transistor bipolar BJT
Zonas de funcionamiento
 Zona Activa: Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT). Unión BaseColector polarizada inversamente.
iB

iC

B

C

  iB...