Electronica
Páginas: 11 (2728 palabras)
Publicado: 1 de mayo de 2012
Electrónica de Potencia
Índice
Unidad I: PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO 1. 2. Introducción a la electrónica de potencia .......................................................... 1 1.1 Definición ............................................................................................. 1 1.2 Principales tareas de la electrónica de potencia ...................................... 2Convertidores electrónicos de potencia ............................................................. 2 2.1 Rectificación ......................................................................................... 2 2.2 Convertidor DC-AC................................................................................ 4 2.3 Convertidor DC-DC............................................................................... 5 2.4 Convertidor AC-AC ................................................................................ 5 Observaciones adicionales a la electrónica de potencia ...................................... 6
3.
Unidad II: TIPOS Y PRUEBAS DE ESTADO 1. Dispositivos semiconductores de potencia ......................................................... 9 1.1 Tipos y símbolos................................................................................... 9 1.1.1. Diodos rectificadores ................................................................ 9 1.1.2. Tiristores ................................................................................. 9 1.1.3. Transistores bipolares de juntura (BIT). .................................. 10 1.1.4. Transistores de metal óxidosemiconductor FET (mosfet). ........ 10 1.1.5. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). ................ 10 Funcionamiento ideal ..................................................................................... 11 2.1 Estado de bloqueo o corte................................................................... 11 2.2 Estado de conducción o saturación...................................................... 11 2.3 Control............................................................................................... 12 2.4 Características ideales ......................................................................... 12 2.5 Características reales .......................................................................... 12 Diodos rectificadores..................................................................................... 13 3.1 Principio de funcionamiento ................................................................ 13 3.2 Principales características .................................................................... 15 3.3 Tipos de encapsulados ........................................................................ 15 3.4 Pruebas con multímetro en “escala de diodo”....................................... 16 Tiristores ...................................................................................................... 17 4.1 Principio de funcionamiento ................................................................ 17 4.2 Principales características .................................................................... 19 4.3 Tipos de encapsulados........................................................................ 21 4.4 Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ....................................... 22 Transistores bipolares de juntura (BIT) ........................................................... 23 5.1 Principio de funcionamiento ................................................................ 24 5.2 Principales características.................................................................... 25 5.3 Tipos de encapsulados ........................................................................ 29 5.4 Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ....................................... 29 Transistor de efecto de campo de oxido metálico de silicio (mosfet) ................. 30
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Electrónica de...
Índice
Unidad I: PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO 1. 2. Introducción a la electrónica de potencia .......................................................... 1 1.1 Definición ............................................................................................. 1 1.2 Principales tareas de la electrónica de potencia ...................................... 2Convertidores electrónicos de potencia ............................................................. 2 2.1 Rectificación ......................................................................................... 2 2.2 Convertidor DC-AC................................................................................ 4 2.3 Convertidor DC-DC............................................................................... 5 2.4 Convertidor AC-AC ................................................................................ 5 Observaciones adicionales a la electrónica de potencia ...................................... 6
3.
Unidad II: TIPOS Y PRUEBAS DE ESTADO 1. Dispositivos semiconductores de potencia ......................................................... 9 1.1 Tipos y símbolos................................................................................... 9 1.1.1. Diodos rectificadores ................................................................ 9 1.1.2. Tiristores ................................................................................. 9 1.1.3. Transistores bipolares de juntura (BIT). .................................. 10 1.1.4. Transistores de metal óxidosemiconductor FET (mosfet). ........ 10 1.1.5. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). ................ 10 Funcionamiento ideal ..................................................................................... 11 2.1 Estado de bloqueo o corte................................................................... 11 2.2 Estado de conducción o saturación...................................................... 11 2.3 Control............................................................................................... 12 2.4 Características ideales ......................................................................... 12 2.5 Características reales .......................................................................... 12 Diodos rectificadores..................................................................................... 13 3.1 Principio de funcionamiento ................................................................ 13 3.2 Principales características .................................................................... 15 3.3 Tipos de encapsulados ........................................................................ 15 3.4 Pruebas con multímetro en “escala de diodo”....................................... 16 Tiristores ...................................................................................................... 17 4.1 Principio de funcionamiento ................................................................ 17 4.2 Principales características .................................................................... 19 4.3 Tipos de encapsulados........................................................................ 21 4.4 Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ....................................... 22 Transistores bipolares de juntura (BIT) ........................................................... 23 5.1 Principio de funcionamiento ................................................................ 24 5.2 Principales características.................................................................... 25 5.3 Tipos de encapsulados ........................................................................ 29 5.4 Pruebas con multímetro en “escala de diodo” ....................................... 29 Transistor de efecto de campo de oxido metálico de silicio (mosfet) ................. 30
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