Electronica

MODULO ELECTRÓNICA BÁSICA

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PEDRO TORRES SILVA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD FACULTAD DE CIENCIAS BÁSICAS E INGENIERÍA PROGRAMA INGENIERÍA ELECTRÓNICA BOGOTA 2006
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Replica del primer transistor, desarrollado en Bell Labs, en 1947.

GUÍA DIDÁCTICA ELECTRÓNICA BASICA

@Copyright Universidad Nacional Abierta y a Distancia

ISBN

2006 Centro Nacional de Mediospara el Aprendizaje Primera revisión Julio 20 de 2007

Electrónica Básica

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INDICE INTRODUCCIÓN I. 1. 1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 1.5. 1.6. 1.7. 1.8.
2.

FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES Diodos Semiconductores Diodo Ideal Materiales semiconductores, niveles de energía y materiales extrínsecos. Diodo semiconductor. Circuitos equivalentes para diodos. Capacitancia de transición y difusiónTiempo de recuperación inverso. Hoja de especificaciones, pruebas de diodos. Diodos zener y diodos emisor de luz. Aplicaciones de Diodos Análisis por medio de la recta de carga. Aproximación de diodos. Configuraciones de diodos en serie con entradas DC. Configuración de diodos en paralelo y serie – paralelo. Rectificación de media onda y rectificación de onda completa. Circuitos recortadores,sujetadores, diodo zener y multiplicadores de voltaje. Transistores bipolares Construcción y operación de transistores. Configuración en base común. Acción de amplificación del transistor. Configuración en emisor común. Configuración en colector común. Límite de operación, hoja de especificaciones, pruebas de transistores. Polarización DC del transistor BJT Punto de operación. Circuito de polarizaciónfija. Circuito de polarización estabilizada por emisor. Polarización por divisor de voltaje. Polarizaciones DC con retroalimentación de voltaje. Diversas configuraciones de polarización. Operaciones de diseño. Redes de conmutación con transistores. Estabilización de polarización.

2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.5. 2.6.

3. 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 3.5. 3.6. 4. 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.5. 4.6. 4.7. 4.8. 4.9. II.FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN

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5. 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5. 5.6. 5.7. 6. 6.1. 6.2. 6.3. 6.4. 6.5. 6.6. 6.7. 6.8.

Transistores de efecto de campo – FET. Construcción y características de los JFET Característica de transferencia. Especificaciones de JFET MOSFET de tipo decremental e incremental. Manejo de MOSFET. VMOS (Vertical Metal Oxide Silicon) CMOS (MOS conarreglo complementario). Polarizaciones del FET Configuración de polarización fija. Configuración de auto polarización. Polarización mediante divisor de voltaje. MOSFET de tipo decremental. MOSFET de tipo incremental. Redes combinadas. Diseño FET de canal –P y curva de polarizaciones para JFET.

7. Dispositivos pnpn y otros 7.1. Introducción 7.2. Diodos de cuatro capas 7.2.1. SIDAC 7.2.2. SBS 7.3.SCR 7.4. Activación o disparo y bloqueos de los tiristores. 7.4.1. Activación o disparo de un tiristor. 7.4.2. Bloqueo de un tiristor. 7.5. Regulación en potencia de un SCR. 7.6. Variantes del SCR. 7.6.1. Foto-SCR o LASCR 7.6.2. GTO 7.6.3. PUT 7.6.4. TRIAC 7.6.5. TRIAC con acoplado óptico 7.7. El transistor UJT ó de uniunión. 7.7.1. Funcionamiento de un UJT 7.7.2. Oscilador de relajación con UJT7.8. Algunas aplicaciones típicas de los tiristores. 7.8.1. Regulación de luz 7.8.2. Control de velocidad de motores 7.8.3. Control de calor con sensor de temperatura.

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INTRODUCCION
La finalidad de este libro es didáctica y su edición se ha realizado para el uso de los estudiantes de los programas de Tecnología e Ingeniería Electrónica de la Universidad NacionalAbierta y a distancia – UNAD. Se recomienda que cada estudiante lea el artículo: “Fabricación de los circuitos integrados que mueven al mundo”.2

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Anexo A del libro: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.

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PRIMERA UNIDAD
FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES CAPITULO 1 1. Diodos Semiconductores

Mapa Conceptual

1.1. Diodo Ideal Nuestro...