ElectronicaAnalogica

Electrónica Analógica
M.C. Karla Cuéllar

Unidad 1: Dispositivos Semiconductores
 1.1 Materiales semiconductores.
 1.1.1 Materiales intrínsecos
 1.1.2 Materiales extrínsecos
 1.1.2.1 Tipo N
 1.1.2.2 Tipo P.

 1.2 Diodos
 1.2.1 Características generales.
 1.2.1.1 Tensión umbral, de codo o de partida.
 1.2.1.2 Corriente máxima.
 1.2.1.3 Corriente inversa de saturación.
 1.2.1.4Corriente superficial de fuga.
 1.2.1.5 Tensión de ruptura.
 1.2.1.6 Efecto avalancha.
 1.2.1.7 Efecto Zener.
 1.2.2 Tipos de Diodos.
 1.2.2.1 Rectificadores
 1.2.2.2.Diodos emisores de luz
 1.2.2.3 Fotodiodo
 1.2.2.4. Schottky
 1.2.2.5 Zener.
 1.2.2.6 Diodo varicap
 1.2.2.7 Diodo laser
 1.2.2.8 Diodo PIN

 1.3 Parámetros y característica eléctricas
 1.3.1 Hoja de datos
 1.3.2 Pruebaseléctricas con equipo de mediciòn (Voltmetro, óhmetro, osciloscopio)

Dispositivos Semiconductores
1.1 Materiales semiconductores: Un semiconductor, es un
material que posee un nivel de conductividad sobre algún punto entre
los extremos de un aislante y un conductor.
 Se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o
magnético, lapresión, la radiación que le incide, o la temperatura
del ambiente en el que se encuentre.

Dispositivos Semiconductores
 1.1.1 Materiales intrínsecos: Son aquellos

semiconductores que han sido cuidadosamente refinados
para reducir las impurezas a un nivel muy bajo.
 Los electrones libres son portadores de carga negativa y se

dirigen hacia el polo positivo de la pila.
 Los huecos sonportadores de carga positiva y se dirigen hacia
el polo negativo de la pila.

Dispositivos Semiconductores
 1.1.1 Materiales extrínsecos: Un material

semiconductor que haya sido sujeto al proceso de
dopado se denomina un material extrínseco.
Se mejora la conductividad eléctrica de los
semiconductores.
 Dopado: La adición de un pequeño porcentaje de átomos
extraños en la red cristalina regular desilicio o germanio, dando
lugar a los semiconductores de tipo n y tipo p.

Dispositivos Semiconductores
 1.1.1 Materiales extrínsecos


1.1.2.1 Tipo N: La adición de impurezas pentavalentes como el
antimonio, arsénico, o fósforo, aportan electrones libres, aumentando
considerablemente la conductividad del semiconductor intrínseco.

Dispositivos Semiconductores
 1.1.1 Materiales extrínsecos
1.1.2.2 Tipo P: La adición de impurezas trivalentes tales como boro,
aluminio, o galio a un semiconductor intrínseco, crean unas
deficiencias de electrones de valencia, llamadas "huecos".

Dispositivos Semiconductores
 1.2 Diodos

Dispositivos Semiconductores
Polarización directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal
negativo de la fuente estáconectado al material tipo n, diremos que estamos en

R=0 => Circula corriente

Dispositivos Semiconductores
 1.2 Diodos
Polarización inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en
inversa, el terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo
al n, esta conexión se denomina "Polarización Inversa".
R∞ => No circula corriente

DispositivosSemiconductores
1.2 Diodos
1.2.1.1 Tensión umbral, de codo o de partida


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




ID= Corriente que atraviesa el diodo
VD= Tensión entre los extremos del diodo
q = carga del electrón en Culombios = 1,6 e-19 C
K = constante de Boltzman = 8,62 e-5 eV/K
T = Temperatura en Kelvin.
Para niveles bajos de tensión
 = 1 para el Ge
 = 2 para el Si

 Para niveles relativamente altos de corriente
 = 1tanto para Si como para el Ge.

1.2 Diodos
 1.2.1.1 Tensión umbral, de codo o de partida: El valor de

esta tensión de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.

1.2 Diodos
 1.2.1.2 Corriente máxima: Es la máxima corriente que puede

soportar el diodo en directa sin quemarse.

1.2 Diodos
 1.2.1.3 Corriente inversa de saturación: También se la conoce como

corriente de fuga. Está originada...