Ensayo

INGENIERIA ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA I
CUARTO CICLO FECHA: Cuenca, 12 de Junio del 2010.
NOMBRE: Diego Andrés Cuji – Diego Arpi
PRACTICA # 9
TEMA: Transistores en Saturación

1. OBJETIVOS:

General:

* Lograr encender y apagar un relé a el cual se controla mediante transistores.

Específicos:

* Conocer el procedimiento para lograr que eltransistor funcione en zona de saturación.
* Conocer y comprobar el funcionamiento correcto del circuito.
* Realizar las simulaciones respectivas para los cinco circuitos en PSPICE.

2. MARCO TEÓRICO:

ZONA DE SATURACION
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector yEmisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. 
IB IC;  Vbat = RC X IC.
LDR
Una fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado foto resistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistordependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se originan de su nombre en inglés Light Dependent Resistor.
Un foto resistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El electrón libreque resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.
Un dispositivo fotoeléctrico puede ser intrínseco o extrínseco. En dispositivos intrínsecos, los únicos electrones disponibles están en la banda de la valencia, por lo tanto el fotón debe tener bastante energía para excitar el electrón a través de toda la banda prohibida. Los dispositivos extrínsecostienen impurezas agregadas, que tienen energía de estado a tierra más cercano a la banda de conducción puesto que los electrones no tienen que saltar lejos, los fotones más bajos de energía (es decir, de mayor longitud de onda y frecuencia más baja) son suficientes para accionar el dispositivo.
Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de laluz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Estacorriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Fototransistor
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de gananciapropio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
- Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque elfototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

3. PROCEDIMIENTO:

La presente práctica consistió en primer lugar realizar el encendido de un relé mediante un solo transistor para luego realizarlo con dos, ocupando cualquiera de los dos primeros circuitos ocupando un partidor de tención resistencia LDR, Resistencia Fotodiodo, Resistencia Fototransistor; en todos...