Estudio De Las Características Del Transistor De Unión Bipolar (Bjt)
Páginas: 14 (3401 palabras)
Publicado: 13 de agosto de 2012
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Estudio de las características del transistor de unión bipolar (BJT)
Danilo Prada, Aris Calao y Jose David Ruiz
En el presente Artículo, se presentan los resultados y conclusiones de la práctica No. 4 de laboratorio, en la cual se comprueba y analiza las características fundamentales de otros de los dispositivos semiconductores más utilizados en los circuitos electrónicos: el BJT.Específicamente se realizo el estudio y análisis experimental de polarización o DC y el análisis en AC de referencias de BJTs.
INTRODUCIÓN
A medida que pasa el tiempo, va surgiendo la necesidad de un avance proporcional en la tecnología, en pos de facilitarnos la vida ya sea en el área laboral o domestica. Uno de estos avances en la parte de la electrónica son los llamados transistores. Dichoselementos son de vital importancia a la hora de diseñar circuitos microelectrónicos, ya que son capaces de generar valores y condiciones ideales o constantes para que las partes adjuntas a éste, funcionen como debe ser. Debido a importancia, será objeto de estudio en el presente laboratorio. A continuación presentamos el desarrollo y respuesta de las preguntas iniciales, las cuales hacen referenciade una u otra forma a algunos conceptos teóricos de los dispositivos semiconductores como el BJT, que previamente debieron ser adquiridos y que se irán a constatar en los procedimientos.
PREGUNTAS INICIALES
1. ¿En que se diferencia un transistor BJT NPN de un transistor PNP? Explique brevemente la composición y funcionamiento de cada uno de ellos.
Se diferencian por el orden que tienenlas uniones o capas P y N. Un NPN esta conformado por tres regiones: la región de emisor (tipo N), la región de base (tipo N), y la región de colector (tipo N), tal como lo indica el orden de su nombre. Para el caso de un PNP, esta compuesto de las mismas tres regiones, solo que el orden de las capas será: región de emisor (tipo P), región de base (tipo N), y la región de colector (tipo P).Además en el PNP, la corriente del emisor es la que se divide entre la base y el colector, mientras que en el NPN, las corrientes de base y colector se juntan y forman la de emisor.
2. Describa cada uno de los modos de operación en los que se puede encontrar un transistor BJT, especificando para cada uno de ellos qué condiciones de voltajes y corriente se presentan en el dispositivo.
Elmodo activo, es el que se emplea si el transistor va a operar como un amplificador, En esta región la corriente de colector depende principalmente de la corriente de base, de β (ganancia de corriente,) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
El modo de corte, y el modo de saturación, son los utilizados por las aplicaciones de conmutación, circuitos logicos,compuertas logicas, etc.
Un transistor esta en corte cuando el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Para este modo, las uniones Emisor-Base y Colector-Base se encuentran polarizadas inversamente. En este caso, las corrientes de colector, base y emisor son cero. Estas características hacen ideal el transistor para funcionar comointerruptor.
Por su parte, en el modo de saturación ambas uniones se encuentran polarizadas directamente, lo que ocurre cuando disminuye el voltaje de colector 0,5V por debajo del voltaje de la base debido a un aumento de la corriente de base y de colector. En estas condiciones de polarización, la corriente de colector se mantiene alrededor de un valor conocido como iCsat aún cuando la corriente dela base siga aumentando. Esto además ocasiona que no se mantenga la relación β, y que se defina la conocida β forzada . También se observa que el voltaje entre colector y emisor se mantiene aproximadamente constante con un valor de 0,2V.
3. Describa brevemente las tres formas más comunes de polarizar un transistor indicando las ventajas y desventajas que presentan.
Los modos más comunes...
Estudio de las características del transistor de unión bipolar (BJT)
Danilo Prada, Aris Calao y Jose David Ruiz
En el presente Artículo, se presentan los resultados y conclusiones de la práctica No. 4 de laboratorio, en la cual se comprueba y analiza las características fundamentales de otros de los dispositivos semiconductores más utilizados en los circuitos electrónicos: el BJT.Específicamente se realizo el estudio y análisis experimental de polarización o DC y el análisis en AC de referencias de BJTs.
INTRODUCIÓN
A medida que pasa el tiempo, va surgiendo la necesidad de un avance proporcional en la tecnología, en pos de facilitarnos la vida ya sea en el área laboral o domestica. Uno de estos avances en la parte de la electrónica son los llamados transistores. Dichoselementos son de vital importancia a la hora de diseñar circuitos microelectrónicos, ya que son capaces de generar valores y condiciones ideales o constantes para que las partes adjuntas a éste, funcionen como debe ser. Debido a importancia, será objeto de estudio en el presente laboratorio. A continuación presentamos el desarrollo y respuesta de las preguntas iniciales, las cuales hacen referenciade una u otra forma a algunos conceptos teóricos de los dispositivos semiconductores como el BJT, que previamente debieron ser adquiridos y que se irán a constatar en los procedimientos.
PREGUNTAS INICIALES
1. ¿En que se diferencia un transistor BJT NPN de un transistor PNP? Explique brevemente la composición y funcionamiento de cada uno de ellos.
Se diferencian por el orden que tienenlas uniones o capas P y N. Un NPN esta conformado por tres regiones: la región de emisor (tipo N), la región de base (tipo N), y la región de colector (tipo N), tal como lo indica el orden de su nombre. Para el caso de un PNP, esta compuesto de las mismas tres regiones, solo que el orden de las capas será: región de emisor (tipo P), región de base (tipo N), y la región de colector (tipo P).Además en el PNP, la corriente del emisor es la que se divide entre la base y el colector, mientras que en el NPN, las corrientes de base y colector se juntan y forman la de emisor.
2. Describa cada uno de los modos de operación en los que se puede encontrar un transistor BJT, especificando para cada uno de ellos qué condiciones de voltajes y corriente se presentan en el dispositivo.
Elmodo activo, es el que se emplea si el transistor va a operar como un amplificador, En esta región la corriente de colector depende principalmente de la corriente de base, de β (ganancia de corriente,) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
El modo de corte, y el modo de saturación, son los utilizados por las aplicaciones de conmutación, circuitos logicos,compuertas logicas, etc.
Un transistor esta en corte cuando el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Para este modo, las uniones Emisor-Base y Colector-Base se encuentran polarizadas inversamente. En este caso, las corrientes de colector, base y emisor son cero. Estas características hacen ideal el transistor para funcionar comointerruptor.
Por su parte, en el modo de saturación ambas uniones se encuentran polarizadas directamente, lo que ocurre cuando disminuye el voltaje de colector 0,5V por debajo del voltaje de la base debido a un aumento de la corriente de base y de colector. En estas condiciones de polarización, la corriente de colector se mantiene alrededor de un valor conocido como iCsat aún cuando la corriente dela base siga aumentando. Esto además ocasiona que no se mantenga la relación β, y que se defina la conocida β forzada . También se observa que el voltaje entre colector y emisor se mantiene aproximadamente constante con un valor de 0,2V.
3. Describa brevemente las tres formas más comunes de polarizar un transistor indicando las ventajas y desventajas que presentan.
Los modos más comunes...
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