Fabricacion De Ci's

Preparación de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10 a 30 cmde diámetro y puede ser de 1m a 2m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400µm a 600µm de espesor. Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, apartir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas. Para aumentar la resistividad eléctrica del semiconductor, se necesita alterar las propiedades eléctricas del Silicio a partir de un proceso conocidocomo dopaje.
Oxidación
Se refiere al proceso químico de reacción del Silicio con el Oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reacción se necesitan de hornos ultra-limpiosespeciales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o como vapor (“oxidación húmeda”). La Oxidación húmedatiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas. Su constante dieléctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores.Difusión
Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusión es unmétodo mediante el cual se introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusión de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Si la concentración de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida también puede utilizarse como conductor.
Implantación de ionesEs otro método que se utiliza para introducir átomos de impurezas en el cristal semiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo...