fet y mosfet

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO (FET)

DEFINICION
Es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a latrayectoria de la corriente.

COMPOCISION
El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y queestán unidas entre sí.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce.
La región que existe entre eldrenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama “canal”. La corriente circula de drenaje (d) a fuente (S)

FUNCIONAMIENTO
Se polariza de manera diferente al transistorbipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente () y la compuerta (gate) se polariza negativamente con respecto a la fuente ().
A mayor voltaje más angostoes el canal y más difícil es para la corriente pasar del terminal drenador (drain) a la terminal fuente (source). La tensión para la que el canal queda cerrado se llama “punch-off” y es diferentepara cada FET.

El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requiere que haya cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. Eltransistor FET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a fuente () modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho del canal.
Curva característica detransferencia de un transistor FET de canal tipo P en el gráfico inferior derecha. La fórmula es: .

Dónde:
es el valor de corriente cuando la .
es el voltaje entre la compuerta y al fuente para laque se desea saber .

Resistencia del canal RDS
Como es el voltaje que controla el paso de la corriente (regula el ancho del canal), se puede comparar este compartimiento como un resistor cuyo...