Fet y mosfet efecto de campo

Páginas: 9 (2149 palabras) Publicado: 7 de noviembre de 2011
FET Y MOSFET

En este trabajo vamos a hablar de las diferentes configuraciones que existen para polarizar los transistores FET Y MOSFET; Las diferentes configuraciones son:

* Polarización fija
* Auto polarización
* Divisor de voltaje
* Por retroalimentación
* Por decremental
* Por incremental

POLARIZACION FIJA

En el siguiente esquemavemos un ejemplo de polarización directa , en el cual se puede apreciar que el voltaje que hay en (G) es de 0v ya que en esta configuración se puede aplicar la siguiente ecuación
Como vemos en estas ecuaciones el voltaje en (G) es de 0v gracias a (RG), por esto podemos remplazar (VG) por un corto circuito equivalente .

RED PARA EL ANÁLISISEN DC
En los anteriores esquemas podemos también ver que el terminal negativo de la batería este conectado en forma directa al l positivo definido( VGS) refleja bien que la polarización de( VGS) esta colocada de manera opuesta y directamente a la de VGG. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj en la malla indicada en la figura anterior se tiene:-VGG -VGS = 0
VGS = -VGG
Ya que VGG es una fuente fija de dc el voltaje VGS es de una magnitud fija lo que da por resultado la notación “configuración de polarización fija”.

Ahora el nivel resultante de corriente de drenaje ID lo controla la ecuación de Shockley:
Ya que VGS resulta una cantidad fija para esta configuración, su magnitud y signo pueden sustituirse con facilidad en la ecuaciónde Shockley, además de calcular el nivel resultante de VD. El voltaje de drenaje a la fuente de la sección de salida puede calcularse si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera:
VDS = IDRD - VDD = 0
VDS = VDD - IDRD
VS = 0V

VDS = VD -VS
VD = VDS + = VDS + 0 V
VD = VDS
Además,
VGS = VG - VS
VG = VGS + VS = VGS + 0 V
VG = VGS
El hecho de que VD = VDS y que VG =VGS parece obvio a partir del hecho de que VS = 0 V, pero también se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relación que existe entre la dotación de doble subíndice y de un solo subíndice. Ya que la configuración necesita de dos fuentes de dc, su empleo esta limitado, y no podrá incluirse en la siguiente lista de configuraciones FET mas comunes.

AUTOPOLARIZACION
Enesta configuración nos evitamos el usar dos fuentes , ya que el drenador es el que esta suprimiendo la fuente de puerta. Y se acopla una resistencia de surtidor. Este circuito es más estable que el anterior. El voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través del resistor RS, que se conecta en la terminal de la fuente de la configuración como semuestra en la siguiente figutra

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN PARA JFET
Para el análisis en DC los capacitares pueden reemplazarse una vez mas por “circuitos abiertos”, y el resistor RG puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que IG = 0A. El resultado es la red de la figura siguiente para el análisis en dc.

ANÁLISIS EN DC DE LA CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
Lacorriente a través de RS es la corriente de la fuente IS, pero IS = ID y
VRS = IDRS
Para el lazo cerrado que se indico en la figura anterior se tiene que
-VGS - VRS = 0
VGS = -VRS
VGS = -IDRS
En este caso podemos ver que VGS es una función de la corriente de salida ID, y no fija en magnitud, como ocurrió para la configuración de polarización fija.
Puede conseguirse una solución matemática mediantela simple sustitución de la ecuación anterior en la ecuación de Shockley :

Al desarrollar el término cuadrático que se indica y al reorganizar los términos, puede lograrse una ecuación de la siguiente forma:
ID2 + K1ID + K2 = 0
Puede calcularse el valor de VDS si aplicamos la ley de voltaje de kirchhoff al circuito de salida, lo que da por resultado
VRS + VDS + VRD - VDD = 0
VDS = VDD -...
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