transistores bjt, fet y mosfet

1) Como se definen las ganancias de corriente en el transistor.
Ganancia de corriente β dc
β dc se define como la ganancia de corriente de un transistor. Es la relación entre la corriente de colector y la corriente de base. La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (menores a 1W, la ganancia decorriente es típicamente de 100 a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen ganancias de entre 20 y 100. Alfa de continua α dc
Otro parámetro de los transistores es el α dc (alfa en dc). Se define como la relación entre la corriente de colector y la corriente de emisor.
Como habíamos visto, estas dos corrientes son casi iguales, así que el valor de α dc seráligeramente menor que 1.

2) Que valor tiene la tensión VBE en un transistor NPN.
Vbe aprox. 0,6 ó 0.7 voltios

3) Cuales son las Zonas de operación en un transistor BJT.
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
Región activa:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en laregión de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como unamplificador de señal.
Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamentemenor al presente en modo activo.
Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0(Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es losuficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)

4)En que zona trabaja el BJT.
Zona Activa.

5) Con que se activa el BJT, con corriente o tensión.
Con CORRIENTE.

6) Cuales son los nombres de los pines del BJT.
B = base
C = colector
E =emisor

7) Cuales son las principales variables a obtener en un circuito con transistorBJT.
IB - IC - IE - VCE

8) Cual es la formula para obtener la potencia en un circuito con transistor BJT.


9) Que polarización se puede aplicar en un transistor BJT.
Base-Comun
Emisor – Comun
Colector – Comun

10) Cuales son las principales aplicaciones del BJT
AMPLIFICADOR
INTERRUPTOR

11) Que amplificador existe utilizando transistores.
AMPLIFICADOR CON CONFIGURACIONDARLINGTON
AMPLIFICADOR CON POLARIZACION BASE
AMPLIFICADOR POR DIVISOR DE VOLTAJE

12) Que significa FET.
FET => TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

13) Cual es el nombre de cada uno de los pines del FET.
D = DRENADO
G= COMPUERTA
S= FUENTE

14) Con que se activa el FET por tensión ó corriente.
Por tensión.

15) Cuales son las zonas de operación.
Corte, Saturacion, Activa y Ruptura....