Transistores de campo fet y mosfet

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REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DE EDUCACION SUPERIOR

MARACAIBO, EDO ZULIA

CATÈDRA: LABORATORIO DE ELECTRONICA 2











Practica # 4

Transistores de Campo FET y MOSFET





















Transistores de Campo FET Y MOSFET.

Laboratorio de Electrónica II. Facultad de Ingeniería. Universidad Rafael Urdaneta.

Maracaibo.Venezuela.



Extracto



El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método deaislamiento entre el canal y la puerta.



Introducción

En esta práctica se estudiara los transistores de campo JFET Y MOSFET, donde se podrá ver el uso del FET como amplificador para pequeñas señales y generar corriente continua..

También se hará un análisis de las curvas características tanto para la Salida ID y la transferencia ID





Base teórica



MOSFET: Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP.

El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.

Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada dellado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)

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En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada porla corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada.

Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay altatensión o hay electricidad estática.

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Principio de operación de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)
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Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en lacompuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada ala compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente)depende de la tensión aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de electrones.


FET: Transistor...
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