Field effect transistor

El trasistor de efecto de campo (FET o Field Effect transistor ) es , quizá el dispositivo electrónico mas importante en la tecnología moderna de estado solido .la enorme versatilidad de este dispositivo , combinada con su alto rendimiento y confiabilidad le han permitido llegar a ser un caballo de batalla para cualquier aplicación .el fet controla el flujo de corriente en un canal en medio deconstriccion o apertura de un canal conductor (el dispositivo trabaja como grifo ). Mediante la aplicación ed una polarización a un contacto de control llamado compuerta . al ser un dispositivo unipolar el fet puede funcionar a altas velocidades puesto que la recombinación electron- hueco no limita el dispositivo .Mediante el uso de materiales “mas rápidos ”. las velocidades alcanzadas con estoshan llegado a ser extremadamente altas. Debido a que su frabicacion es mas fácil le da una ventaja sobre el BJT.
A continuación se presentara la manera que funciona el FET mediante la siguiente figura


Al aplicar un potencial en la compuerta se modula el canal donde pasa la corriente resultando en una disminución o aumento en la corriente del material.una consideración importante en esteproceso es el aislamiento de la compuerta del flujo de corriente del canal.Si la compuerta no esta bien aislada del canal ,extraerá una gran cantidad de corriente ,conduciendo a una ganancia pobre .En el mosfet esto es logrado mediante un oxido en los dispositivos de silicio.
Barrera de schottky es una barrera potencial formada en una unión metal-semiconductor la cual tiene característicasrectificadoras ,la principal diferencia entre una barrera schottky y una unión p-n es un menor voltaje de unión y una pequeña casi no existente zona de agotamiento en el metal .En un mesfet se utiliza un sesgo inverso schottky para proveer una pequeña zona de agotamiento .
El MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor ),la compuerta forma una barrera schottky con el semiconductor y lacorriente de compuerta es pequelña en el intervalo útil de voltajes de compuerta .
El MODFET(Modulation Doped Field Effect Transistor ) la compuerta forma otra vez una barrera schottky , y se emplean los conceptos de heteroestructura para reducir la dispersión de impurezas ionizadas.
Una Heteroestructura o heterounion es la interface creada entre dos capas o regiones de semiconductores cristalinosdiferentes .Esos semiconductores tienen diferentes Bandas de valencia,conducción y energias de fermi contrario a la Homoestructura u homounion.
El JFET (Junction Field Effect Transistor)usa una unión p-n en polarización inversa para aislar la compuerta .
Existen otras variaciones de este dispositivo pero para propósito general esto se puede dividir en 2 grupos
1.- dispositivos donde elaislamiento de la compuerta se consigue mediante un aislante entre la compuerta y el canal activo donde se presenta el flujo de electrones .
2. dispositivos donde se consigue el aislamiento mediante barreras de schottky .
Los materiales de la compuerta es el ingrediente clave en estas configuraciones .
Los FET’s basados en Si emplean el concepto del MOSFET mientras la mayoría de lossemiconductores compuestos III-V están basados en el MESFET o MODFET.


EL JFET
El transistor de efecto de campo mas dimple es el transistor de efecto de campo de unión o (JFET Junction Field Effect Transisitor).esta forma no se ocupa tan ampliamente como el MESFET,pero se encuentra en algunas aplicaciones especificas .Este dispositivo se usa cuando una barrera de Schottky es muy difícil de crear.Eldesempeño de ambos es bastante similar .
Funcionamiento del JFET
El funcionamiento del fet consiste en una delgada capa de material tipo n , dentro de la cual se introducen dos capas de material p como se ilustra en a de la siguiente figura .La región entre los canales p se denomina canal y los electrones pueden fluir entre los dos contactos óhmicos llamados drenaje y fuente ,generalmente la...