Fisica

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD
Facultad de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

APORTE TRABAJO COLABORATIVO 2

Presentado por:
NOEL JAIR ZAMBRANO SANCHEZ
CC 79.708.507

Presentado a:
Andrés Felipe Tarazona Bohórquez
299002-05

Programa de: Ingeniería Electrónica
Curso de: FISICA DE SEMICONDUCTORES
Ibagué; 18-07-2011

ACTIVIDAD

FISICA Y MATEMATICADEL DIODO EN OPERACIÓN (POLARIZACION DIRECTA)

Diodo Ideal

Diodo ideal es un dispositivo construido con dos terminales y con unas características tal como se muestran en las figuras.
[pic][pic]
Figura No. 1.1 Diodo ideal. (a) Símbolo; (b) Característica

El diodo ideal tiene características semejantes a la de un interruptor solo permite la conducción de corriente en una sola dirección. Enla dirección que indica la flecha en la figura 1.1a. Donde uno de sus terminales, el cual se llama ánodo, tiene aplicado un potencial positivo (indicado en la gráfica con el signo +), y en el otro terminal, el cual se llama cátodo, tiene aplicado un potencias negativo. De esta forma, el diodo ideal cumple con lo siguiente:

[pic]= 0 Ω Circuito cerrado (1.1)

Donde, RF es el valor de laresistencia directa.
VF es el valor del voltaje de polarización directa.
IF es el valor de la corriente a través del mismo.
K es cualquier valor positivo de corriente.

Si invertimos la polarización, esto es al ánodo le aplicamos el potencial negativo y al cátodo el positivo, entonces se cumple con:

[pic] Circuito abierto (1.2)

Donde, RR es el valor de la resistencia inversa.VR es el valor del voltaje de polarización inversa.
IR es el valor de la corriente a través del mismo.
K es cualquier potencial de polarización inversa.

Gráficamente podemos concluir:

• Cuando un diodo ideal esta polarizado directamente tenemos un cortocircuito.
[pic][pic]
Los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el silicio (Si) no son los únicos dos materialessemiconductores, pero ellos son los que más se han trabajado en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Pues estos materiales poseen una consideración especial, se pueden fabricar con un alto nivel de pureza. Esto es fundamental, porque si los niveles de impurezas son mayores se puede pasar de un material semiconductor a uno conductor. La otra razón importante para que el silicio y el germaniosean tenidos en cuenta en la fabricación de semiconductores está en la habilidad para transformar significativamente las características del material en un proceso llamado dopado. Además, pueden ser modificados por otros métodos como la aplicación de luz o de calor.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:
[pic]
Representación de un cristal de silicio
Cada átomo desilicio comparte sus 4 electrones de valencia con los átomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la órbita de valencia. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan (aunque sean compartidos) con cada átomo, gracias a esta característica los enlaces covalentes son de una gran solidez.
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Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos ladirección de la corriente como contraria a la dirección de los electrones libres.
[pic]
Grafica de movimiento de electrones en el silicio.
En la figura vemos que los electrones libres (electrones) se mueven hacia la izquierda ocupando el lugar del hueco. Los electrones ligados (huecos) se mueven hacia la derecha.

Carga del electrón libre = -1.6x10-19 Culombios.
Carga de electrón ligado = +1.6x10-19Culombios.
Diodo semiconductor.
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de tipo p, esa unión PN tiene unas propiedades muy útiles y entre otras cosas forman los "Diodos".
Entonces la representación de un semiconductor tipo n sería:
[pic]

Y la de un SC tipo p:
[pic]
La unión...