Hoja De Especificaciones Del Transistor
Páginas: 3 (574 palabras)
Publicado: 7 de octubre de 2012
Hoja de especificaciones del transistor
Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la informaciónproporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parámetros, un amplio número será ahora familiar. Los parámetros restantes se introducirán en los capítulossiguientes. Se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el parámetro.
La información proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de lapublicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propósito general con el encapsulado y la identificación de terminales que aparecenen el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales máximos, características térmicas v características eléctricas. Lascaracterísticas eléctricas se subdividen además en características en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las características en estado activo y pasivo se refieren a los limites decd, mientras que las características de pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la operación de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax
VCEO
30 V con ICmax200 mA. La máxima disipación de colectora .
625 mW. El factor de degradación bajo los valores nominales máximos especifica que el valor nominal máximo debe descender 5 mW por cada grado deincremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat
0.3 V. El nivel de hFE tiene unintervalo de 50 hasta 150 a una IC
2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se...
Puesto que la hoja de especificaciones es el enlace de comunicación entre el fabricante y el usuario, es de particular importancia que la informaciónproporcionada sea reconocida y correctamente comprendida. Aunque no se han presentado todos los parámetros, un amplio número será ahora familiar. Los parámetros restantes se introducirán en los capítulossiguientes. Se hará referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la manera en la cual se presenta el parámetro.
La información proporcionada en la figura 3.23 se ha tomado directamente de lapublicación Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de propósito general con el encapsulado y la identificación de terminales que aparecenen el extremo superior derecho de la figura 3.23a. La mayoría de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominales máximos, características térmicas v características eléctricas. Lascaracterísticas eléctricas se subdividen además en características en estado "encendido", en estado "apagado" y de pequeña señal. Las características en estado activo y pasivo se refieren a los limites decd, mientras que las características de pequeña señal incluyen los parámetros de importancia para la operación de ca.
Nótese en la lista de valores nominales máximos que vcemax
VCEO
30 V con ICmax200 mA. La máxima disipación de colectora .
625 mW. El factor de degradación bajo los valores nominales máximos especifica que el valor nominal máximo debe descender 5 mW por cada grado deincremento en la temperatura sobre los 25°C. En las características durante el estado "apagado" ICBO se especifica como de 50 nA y durante el estado "encendido" VCEsat
0.3 V. El nivel de hFE tiene unintervalo de 50 hasta 150 a una IC
2 mA y VCE =1 V y un valor mínimo de 25 a una corriente mayor de 50 mA para el mismo voltaje.
Los limites de operación se han definido ahora para el dispositivo y se...
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