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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I – ING. ELECTRICA
2-1- Transistores bipolares
-------------------------------------------------------------------------------------------------------CAPITULO 2: TRANSISTORES Y AMPLIFICADORES (2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5)
LOS TRANSISTORES SEMICONDUCTORES
Se denominan “transistores” a los dispositivos semiconductores que utiliza la
electronica moderna para diversosfines a saber: Amplificación de señales eléctricas
analógicas, generación de niveles de tensión para materializar las “funciones lógicas”
que utiliza la electronica digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de
potencia eléctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de potencia , etc.
En gral. Son dispositivos de tres conexiones o tres terminales. La característicaV—I
es mas compleja que los dispositivos de dos terminales que se pueden describir a través
de una sola ecuación matemática o grafica. Funcionalmente se distinguen tres pares
diferentes de terminales o puertos; pero es posible describir totalmente un dispositivo de
tres terminales, considerando solamente dos de sus tres pares de terminales definidos
como “Terminal de entrada” o “conexión alcircuito de entrada” y “Terminal de salida”
o conexión al circuito de salida

I1 (A)

(B) I2

TRANSISTOR

Conexión
al circuito
de entrada

(+)

(+)

V1

V2

(-)

(C)

Conexión
al circuito
de salida

(-)

La característica tensión - corriente de dos pares principales de terminales puede
modificarse, actuando sobre el “tercer Terminal. Por ejemplo, si variamos latensión o
corriente en el Terminal “A”, podemos modificar la relación v—i existente entre los
terminales “B” y “C”. Esta característica permite que los dispositivos de tres terminales
conectados en circuitos adecuados, lleven a cabo una amplia variedad de funciones de
procesamiento de señales, incluyendo la amplificación, conmutación y control.
Para estos dispositivos la característica V—I seestablece entre dos terminales, para
distintos valores de corriente o tensión del tercer Terminal.
i2

i14
i13
i12
i11

0

v2
Por ejemplo si el terminal (C) es el terminal común a la conexión del circuito de entrada
y salida, la grafica V—I del dispositivo que se conectara al circuito de salida, serán
distintas curvas en función de los valores de corriente o de tensión del par determinales
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Apunte de cátedra
Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I – ING. ELECTRICA
2-1- Transistores bipolares
-------------------------------------------------------------------------------------------------------que se conectaran al circuito de entrada. Para el caso de la grafica, vemosque la
relación v2-i2 es función de los valores que tome la corriente “i1”.
Clasificación de los transistores
Clasificaremos a continuación a los transistores según construcción y forma de
funcionamiento:
Transistor de unión bipolar (BJT)
Transistor de efecto de campo (FET)
Transistor de inducción estática (SIT)
Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)
Transistores de unión bipolar(BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para
amplificar señales analógicas, tratamiento de señales digitales y como conmutador de
potencia eléctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados.
Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los
FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).
Los transistores JFET puedenser de canal “n” o de canal “p”; estos, se utilizan para
amplificar señales de baja frecuencia y potencia (señales de audiofrecuencias).
Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de “empobrecimiento
o deplexion”, MOSFET de “acumulación o enriquecimiento” y MESFET.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal “n” o canal “p”;
estos tienen aplicaciones...