Informe 1

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INFORME PRACTICA No.2
CARACTERIZACIÓN DE TRANSISTORES MOS
Diana Katherine Franco Estupiñán
Jhonar Orlando Acevedo
Tatiana Acosta Martínez

Presentado a: Ingeniero Javier Enrique Mier Martínez

Diana Katherine Franco Estupiñán
Jhonar Orlando Acevedo
Tatiana Acosta Martínez

Presentado a: Ingeniero Javier Enrique Mier Martínez

Resumen: Los transistores son dispositivoselectrónicos semiconductores que funcionan como amplificadores, osciladores, conmutadores y rectificadores. A través de la practica y de forma experimental, utilizando un circuito integrado CD4007, se logro la caracterización de los parámetros (Va, Vt, Ro, Gm, W, L, K’ y λ) de los transistores que se encuentran incrustados en el circuito integrado polarizando correctamente los transistores y siguiendoun montaje que se describe. Dicho informe describe los parámetros de los transistores tipo N y tipo P.

Palabras claves: CD4007, transistores, parámetros, circuito integrado.

I. INTRODUCCIÓN

MOSFET significa "Transistor de Efecto Campo de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entregauna parte a la corriente total. Es un dispositivo controlado por tensión, es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando, así, lo que se denomina distorsión por fase.
La característicaconstructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
Tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y elPNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain):

PRINCIPIO DE OPERACIÓN

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y lafuente (Source).

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y lafuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hayentre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

En lostransistores MOS se definen las regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.

* Región de Corte
Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

* Región de...
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